Caractéristiques des unités d'E/S de base et à haute densité
Connexions aux bornes
B
12
NC
11
NC
10
+V1
COM1
9
STB7
8
STB6
7
STB5
6
STB4
5
STB3
4
STB2
3
STB1
2
STB0
1
Rem. 1. Se reporter au manuel de fonctionnement de l'Unité pour plus de détails sur l'attribution des bits d'E/S.
2. L'Unité doit posséder 32 points de sortie dynamique lorsque le sélecteur 1 du micro-interrupteur DIP est
à OFF.
3. Régler le sélecteur 5 du micro-interrupteur DIP à ON pour une sortie logique positive ou à OFF pour une
sortie logique négative. Lorsqu'une sortie logique négative est définie, la borne a un niveau de tension
"L" dans le cas d'une sortie. Lorsqu'une sortie logique positive est définie, la borne a un niveau de ten-
sion "H" dans le cas d'une sortie.
4. Le signal d'échantillonnage a une logique négative indépendamment du paramétrage du sélecteur 5.
5. Chaque borne de sortie a une résistance de sortie de 4,7 k .
C200H-OD215 Unité de sortie à transistor, utilisée pour 32 sorties
statiques
CN1
A
12
NC
11
NC
+
5 Vc.c.
10
+V0
COM0
9
DATA7
8
Périphérique de
sortie
DATA6
7
(comme un écran
numérique)
DATA5
6
DATA4
5
Entrée de
DATA3
donnée
4
DATA2
3
DATA1
Entrée
2
d'échantillonnage
DATA0
1
Capacité de commutations
Max.
Courant de fuite
Tension résiduelle
Temps de réponse à ON
Temps de réponse à OFF
Nombre de circuits
Consommation interne
Fusibles
Alimentation externe
Poids
CN2
A
DATA8
1
Entrée
DATA9
d'échantil-
2
lonnage
DATA10
3
DATA11
4
Entrée de
DATA12
donnée
5
DATA13
6
DATA14
Périphérique de
7
sortie
DATA15
(comme un écran
8
numérique)
COM2
9
+
+V2
10
5 Vc.c.
NC
11
NC
12
16 mA, 4,5 Vc.c. à 100 mA, 26,4 Vc.c.
800 mA/commun, 3,2 A/Unité
0,1 mA max.
0,7 V max.
0,2 ms max.
0,6 ms max.
4 (8 points/commun)
220 mA 5 Vc.c. max.
4 (1 fusible/commun ; les fusibles ne sont pas
remplaçables par l'utilisateur).
90 mA 5 à 24 Vc.c.¦10% min.
(2,8 mA ´ nombre de sorties à ON)
300 g max.
Annexe A
B
STB8
1
STB9
2
STB10
3
STB11
4
STB12
5
STB13
6
STB14
7
STB15
8
COM3
9
+V3
10
11
NC
12
NC
709