Vue De Derrière; Vue De Devant - STAMOS WIG Schweißgeräte Manuel D'utilisation

Fr
modèle : s-mma 180PI + 200PI + 250PI
Vue de derrière

Vue de devant

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21
18/19
IGbT
IGBT = Le transistor bipolaire à grille isolée (de l'anglais
Insulated Gate Bipolar Transistor, abrégé IGBT) est un dis-
positif semi-conducteur, qui est de plus en plus utilisé dans
l'électronique de puissance car il combine les avantages du
transistor bipolaire (par exemple : la bonne simplicité de
commande, la haute tension d'arrêt, la robustesse des machi-
nes à souder) et les avantages du transistor à effet de champ
(pilotage presque sans puissance). Ce qui est avantageux, c'est
aussi la robustesse certaine face aux courts circuits, car l'IGBT
limite la charge de courant. les IGBt sont dans la lignée de la
technologie du MoSFet vertical
Courant normal = L'appareil fonctionne avec un raccordement mo-
nophasé (230V).
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