Lt
modelis: s-mma 180PI + 200PI + 250PI
Vaizdas iš galo
Vaizdas iš priekio
26
0
1
7
23
21
18/19
IGbT
IGbT = bipolinis tranzistorius su elektrodų izoliacija
(angl. Insulated Gate Bipolar Transistor, sutrump. IGBT)
yra puslaidininkių įtaisas, kuris yra naudojamas galin-
goje elektronikoje, kadangi pasižymi didele bipolinių
tranzistorių nauda (pvz., geras perdavimas, aukšta
blokavimo įtampa, suvirinimo įrangos tvirtumas) ir lauko
tranzistorių privalumais. Taip pat naudinga apsauga nuo
trumpojo jungimo, IGBT apriboja dabartinę apkrovą.
IGBT yra tolesnė vertikalios MOSFET-galios plėtra.
Normali srovė = prietaisas vienfazis (230V +/- 10%).
1 PH
162