Widok Z Przodu - STAMOS WIG Schweißgeräte Manuel D'utilisation

PL
S-MMA 180PI + 200PI + 250PI

Widok z przodu

Widok z tyłu
26
0
1
7
23
21
18/19
IGbT
Tranzystor bipolarny z izolowaną elektrodą bramy (ang. Insu-
lated Gate Bipolar Transistor, w skrócie IGBT) jest elementem
półprzewodnikowym, który coraz częściej stosowany jest w
układach elektronicznych wysokiej mocy. Element ten łączy w
sobie zalety tranzystora bipolarnego (dobre warunki prze-
wodzenia, wysokie napięcie zaporowe, solidne wykonanie)
oraz tranzystora unipolarnego (zainicjowanie z nieznaczną
stratą mocy). Do zalet należy również odporność na zwarcia,
ponieważ IGBT ogranicza prąd obciążenia. IGBT stanowią
kolejną fazę rozwoju pionowych układów MOSFET.
Standardowe napięcie zasilania = spawarka zasilana jest
napięciem 230 V z gniazda jednofazowego (230V +/- 10%).
1 PH
96