STAMOS WIG Schweißgeräte Manuel D'utilisation page 31

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modell: s-mma 180PI + 200PI + 250PI
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IGbT
Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (english
Insulated Gate Bipolar Transistor, kurz IGBT) ist ein Halblei-
terbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik
verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (z.B.
gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit
bei Schweißgeräten) und Vorteile eines Feldeffekttransistors
(nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt. Vorteilhaft ist
auch eine gewisse Robustheit gegenüber Kurzschlüssen, da der
IGBT den Laststrom begrenzt. IGBTs sind eine Weiterentwick-
lung des vertikalen leistungs-MoSFets.
NORMALSTROM = Das Gerät arbeitet mit einem 1-Phasenan-
schluss (230V +/- 10%).
1 PH
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