Siemens SIMATIC ET 200SP HA Manuel D'utilisation page 23

im Lieferumfang enthalten). Die fehlende Power-Bus-Funktion wird durch die schwarze Gehäusefarbe der Terminalblöcke
gekennzeichnet.
Ein erdfreier Aufbau des IO-Device ist immer möglich, da es keine feste Erdverbindung im IO-Device gibt. Die verwendete
Spannungsversorgung (Netzgerät/Stromversorgungsmodul/Batterie) für DC 24 V muss ebenfalls erdfrei und
potenzialgetrennt sein.
Wenn Sie das IO-Device mit geerdetem Bezugspotenzial aufbauen wollen, dann verbinden Sie den 1M-Anschluss des
Interfacemoduls galvanisch mit dem Schutzleiter.
In Ex-Anwendungen gilt:
• Die Versorgung für das Produkt muss zusätzlich mit begrenzter Leistung (Limited Power Source, LPS) erfolgen gemäß IEC
60950-1 oder IEC 62368-1
oder
• Das Netzteil für die Versorgung des Produkts entspricht NEC Class 2 gemäß National Electrical Code (r) (ANSI / NFPA 70).
Das Produkt verfügt über einen Verpolungsschutz.
3.15.2 Anschluss an Niederspannung
Bestimmte I/O Module sind geeignet für den Anschluss an das Niederspannungsnetz (TT, TN, IT) (siehe Vorgesehene
Verwendung (Seite 9)).
Die Anschlüsse der Außenleiter sind auf dem Produkt wie folgt gekennzeichnet:
L,N
Geerdete Einspeisung
Wenn eine Anlage in Betrieb ist, fließt der Strom über den Neutralleiter. Bei Auftreten eines Fehlers, z. B. ein einfacher
Erdschluss zwischen einem spannungsführenden Leiter und Erde, fließt der Strom über den Schutzleiter. Beschreibung bei
geerdeten Einspeisungen (TN-S-Netz) sind der Neutralleiter (N) und der Schutzleiter (PE) jeweils geerdet. Beide Leiter bilden
einen Teil des Überspannungskonzepts.
IO-Device mit erdfreiem Bezugspotenzial an Niederspannung
Dieser Aufbau leitet hochfrequente Störströme ab und verhindert statische Aufladungen.
Zur Ableitung von Störströmen ist das Bezugspotenzial des Interfacemoduls und der hellgrauen bzw. schwarzen
Terminalblöcke intern über eine RC-Kombination mit der Profilschiene (Schutzleiter) verbunden. (Dabei gilt: IM: R = 10 MΩ / C
= 100 nF, hellgrauer / schwarzer Terminalblock: R = 10 MΩ / C = 4 nF).
Dezentrales Peripheriesystem ET 200SP HA
A5E52222765-AB, 11/2024
21