Widok Z Przodu - STAMOS S-PLASMA 55H Manuel D'utilisation

Akcesoria przecinarek plazmowych
1
2
PRZYŁĄCZE SIECIOWE S-PLASMA 85H / S-PLASMA 85CNC
STARKSTROM: = Te urządzenia pracują z zastosowaniem
przyłącza trójfazowego (400V +/- 10%)
3 PH
56
PL
1. Zacisk masy
2. Palnik plazmy
Rev. 02.03.2017
S-PLASMA 85H | S-PLASMA 85CNC

WIDOK Z PRZODU

2 19
4
12
1 11
20
5 7
6
20. Tylko dla modelu S-PLASMA 85CNC
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką elektrody (z
IGbT
ang. Insulated Gate Bipolar Transistor, w skrócie IGBT)
jest elementem półprzewodnikowym, który stosuje się w
elektronicznych układach dużej mocy, ponieważ posiada zalety
tranzystora bipolarnego (np.: wysoka przewodność, wysokie
napięcie zaporowe, trwałość wykonania w spawarkach)
oraz zalety tranzystora polowego z izolowaną bramką
(zasterowanie prawie bez straty mocy). Do zalet należy
również odporność na zwarcia, ponieważ IGBT ogranicza
prąd obciążenia. Układy IGBT stanowią dalszy krok rozwoju
pionowych układów mocy MOSFET.
Rev. 02.03.2017
PL
WIDOK Z TYŁU
0
8
9
57