SICK S3000 Notice D'instructions page 113

Notice d'instructions
S3000
8009940/PA46/25-08-05
Caractéristiques techniques
OSSD
Paire de sorties TOR
Tension de commutation à l'état haut sous
500 mA
Tension de commutation à l'état bas
Pouvoir de commutation, source
9)
Courant de fuite
Inductance de charge
Charge capacitive
Fréquence de répétition (sans commutation
ni surveillance simultanée)
Impédance de ligne permise
Largeur de l'impulsion test
Fréquence de test
Temps de réponse des OSSD de rouge/vert
Décalage de temps en enclenchant les
OSSD entre OSSD2 et OSSD1
Sorties d'état : champ d'alarme, encrasse-
ment de la vitre frontale/défaut, réarmement
obligatoire
Tension de commutation HIGH sous 200 mA U
Pouvoir de commutation, Source
Limitation de courant (après 5 ms à 25 °C)
Délai de mise en marche
Délai de mise à l'arrêt
8)
Valable pour les tensions comprises entre U
9)
Il s'agit du courant de fuite maximal en cas de défaillance (coupure de la ligne 0 V) de la ligne OSSD. L'organe
de commande auquel est connecté le S3000 doit considérer cet état comme un état BAS (LOW). Un APS
(automate programmable de sécurité) doit être capable de reconnaître cet état.
10)
Pour une fréquence de commutation faible, la charge inductive maximale permise est plus élevée.
11)
La résistance ohmique individuelle de chaque fil doit également être limitée de sorte qu'un court-circuit entre
les sorties soit reconnu. (Observer aussi la norme EN 60 204-1.)
12)
Les sorties sont testées de manière cyclique à l'état actif (bref passage à l'état bas). Lors du choix de l'élé-
ment de commutation piloté, il faut s'assurer que les impulsions de test ne peuvent entraîner la commutation
de cet élément.
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10)
11)
12)
et 0 V.
v
Minimum Type
2 PNP à semi-conducteurs, protégées
contre les courts-circuits
veillance des courts-circuits internes
U – 2,7 V
V
0 V 0 V
6 mA 0,2 A
Dépend de l'inductance de charge
230 µs
120 ms
120 ms
1,3 ms
– 3,3 V
V
100 mA
600 mA
1,4 ms
0,7 ms
Chapitre 11
Maximum
8)
, avec sur-
U
V
3,5 V
0,5 A
250 µA
2,2 H
2,2 µF
sous 50
2,5
300 µs
2 ms
U
V
200 mA
920 mA
2 ms
2 ms
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