Vista Frontale; Vista Posteriore - STAMOS S-PLASMA 55H Manuel D'utilisation

S-PLASMA 55 H

VISTA FRONTALE

2 3
0 4
1
11
7 6 5
IGbT
IGbT = Un transistor bipolare a gate isolato (in inglese
Insulated Gate Bipolar Transistor, abbreviato IGBbT) è un è
un dispositivo semiconduttore che sempre pià impiegato nel
settore dell'elettronica di potenza poiché coniuga i vantaggi
dei transistor bipolari (ad es. un buon rapporto di flusso, alta
corrente inversa, solidità durante le operazioni di saldatura)
con quelli dei transistor a effetto di campo (comandi che non
richiedono quasi alcun apporto di potenza in più). Gli IGBTs
possono essere considerati l'evoluzione dei MOSFET di
potenza.
ALIMENTAZIONE NORMALE: L'apparecchio lavora con un
allacciamento monofase (230V +/- 10%).
1 PH
120
IT

VISTA POSTERIORE

9 8
Rev. 02.03.2017
Accessori
1
2
ALLACCIAMENTO ALLA RETE PER S-PLASMA 85H / S-PLASMA
85CNC
CORRENTE AD ALTA TENSIONE = Questi apparecchi
funzionano con connessione trifase (400V+/- 10%).
3 PH
Rev. 02.03.2017
IT
1. Morsetto per la messa a
121