STAMOS S-PLASMA 55H Manuel D'utilisation page 7

Anschlussschema S-Plasma 55H
Stromkabel
Massekabel
Plasmabrenner
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DE
Luftkompressor
Druckminderer
an Kompressor
Gehäuseabsicherung
Werkstück
Rev. 02.03.2017
S-PLASMA 55 H
VORDERANSICHT
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0 4
1
11
7 6 5
IGbT
Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
(english Insulated Gate Bipolar Transistor, kurz IGBT)
ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der
Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des
Bipolartransistors (z.B. gutes Durchlassverhalten, hohe
Sperrspannung, Robustheit beim Schweißgeräten) und Vorteile
eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung)
vereinigt. Vorteilhaft ist auch eine gewisse Robustheit
gegenüber Kurzschlüssen, da der IGBT den Laststrom
begrenzt. IGBTs sind eine Weiterentwicklung des vertikalen
Leistungs-MOSFETs.
NORMALSTROM: Das Gerät arbeitet mit einem
1-Phasenanschluss (230V +/- 10%).
1 PH
Rev. 02.03.2017
DE
RÜCKANSICHT
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