STAMOS S-PLASMA 55H Manuel D'utilisation page 8

Zubehör bei Plasmaschneidern
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NETZANSCHLUSS FÜR S-PLASMA 85H / S-PLASMA 85CNC
STARKSTROM = Diese Geräte arbeiten mit einem
3-Phasenanschluss (400V +/- 10%)
3 PH
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1. Masseklemme
2. Plasmabrenner
Rev. 02.03.2017
S-PLASMA 85H | S-PLASMA 85CNC
VORDERANSICHT
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20. Nur für das Modell S-PLASMA 85CNC
Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
IGbT
(english Insulated Gate Bipolar Transistor, kurz IGBT)
ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der
Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des
Bipolartransistors (z.B. gutes Durchlassverhalten, hohe
Sperrspannung, Robustheit beim Schweißgeräten) und Vorteile
eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung)
vereinigt. Vorteilhaft ist auch eine gewisse Robustheit
gegenüber Kurzschlüssen, da der IGBT den Laststrom
begrenzt. IGBTs sind eine Weiterentwicklung des vertikalen
Leistungs-MOSFETs.
Rev. 02.03.2017
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RÜCKANSICHT
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