Widok Z Tyłu - STAMOS S-PLASMA 55H Manuel D'utilisation

SCHEMAT PODŁĄCZENIA S-Plasma 55H
Przewód zasilający
Przewód masowy
Palnik tnący
54
PL
Sprężarka
powietrza
Reduktor ciśnienia
sprężarki
Uziemienie obudowy
Element obrabiany
Rev. 02.03.2017
S-PLASMA 55 H
WIDOK Z PRZODU
2 3
0 4
1
11
7 6 5
IGbT
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką elektrody (z
ang. Insulated Gate Bipolar Transistor, w skrócie IGBT)
jest elementem półprzewodnikowym, który stosuje się w
elektronicznych układach dużej mocy, ponieważ posiada zalety
tranzystora bipolarnego (np.: wysoka przewodność, wysokie
napięcie zaporowe, trwałość wykonania w spawarkach)
oraz zalety tranzystora polowego z izolowaną bramką
(zasterowanie prawie bez straty mocy). Do zalet należy
również odporność na zwarcia, ponieważ IGBT ogranicza
prąd obciążenia. Układy IGBT stanowią dalszy krok rozwoju
pionowych układów mocy MOSFET.
PRĄD NORMALNY: spawarka zasilana jest z jednej fazy (230V
+/- 10%)
1 PH
Rev. 02.03.2017
PL
WIDOK Z TYŁU
9 8
55