Caractéristiques Électriques - SICK nanoScan3 I/O Notice D'instruction

13
CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES
122 N O T I C E D ' I N S T R U C T I O N S | nanoScan3 I/O
Tableau 32 : Caractéristiques électriques
Données d'exploitation
Classe de protection
Tension d'alimentation U
a
Ondulation résiduelle
Courant de démarrage à
24 V
Consommation électrique à 24 V
Sans charge de sortie Typ. 0,16 A
Avec charge de sortie maxi‐
male
Puissance absorbée
Sans charge de sortie Typ. 3,9 W
Avec charge de sortie maxi‐
male
Courant de sortie total
Retard à la mise sous ten‐
sion
Sorties de sécurité (OSSD)
Type de sortie
Tension de sortie état ACTIF
(HIGH)
Tension de sortie état INAC‐
TIF (LOW)
Courant de sortie état ACTIF
(HIGH)
Courant de fuite
Inductance de charge
Capacité de charge
Séquence de commutation
(sans commutation et sans
surveillance simultanée)
Résistance de ligne auto‐
risée entre la charge et
l'appareil
Largeur d'impulsion de test
Intervalle des impulsions de
test
Durée de l'état INACTIF
Temps différentiel (décalage
temporel entre la com‐
mutation de OSSD2 et
OSSD1 dans une paire
d'OSSD)
Sortie universelle, E/S universelle (configurée en tant que sortie)
Tension de sortie HIGH
Tension de sortie LOW
nanoScan3 Core I/O
III (CEI 61140)
24 V CC (16,8 V à 30 V CC) (SELV/PELV)
± 5 %
2)
≤ 1,3 A
Typ. 0,66 A
Typ. 15,9 W
≤ 500 mA
≤ 12 s
2 PNP à semi-conducteurs par paire d'OSSD, protection contre
les courts-circuits, surveillance des courts-circuits transversaux
(U – 2 V) ... U
V V
0 V ... 2 V
0,5 mA à 250 mA par OSSD
≤ 250 µA
≤ 2,2 H
≤ 1 µF en série pour 50 Ω
En fonction de l'inductance de charge
≤ 4 Ω
≤ 300 µs (typ. 230 µs)
Typ. 8 × durée du cycle de balayage
≥ 80 ms
≤ 1 ms
(U – 2 V) ... U
V V
0 V ... 2 V
nanoScan3 Pro I/O
1)
0,5 mA à 250 mA par OSSD
3)
8024599/19MP/2021-01-11 | SICK
Sujet à modification sans préavis
4)