SICK deTem4 A/P Notice D'instructions page 148

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CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES
148 N O T I C E D ' I N S T R U C T I O N S | deTem4 A/P
Caractéristiques techniques de l'élément actif
Tableau 49 : Caractéristiques techniques de l'élément actif
Puissance absorbée
1)
Longueur d'onde de l'émetteur
Dispositifs de commutation du
signal de sortie (OSSD)
Durée de l'état INACTIF
Retard à la mise sous tension
État ACTIF, tension de commutation à
l'état HIGH (U )
3)
eff
État INACTIF, tension de commuta‐
tion à l'état LOW
3) 4)
Capacité de charge des OSSD
Courant de fuite des OSSD
Capacité de charge
Inductance de charge
Caractéristiques des impulsions de test
Largeur d'impulsion de test
Fréquence des impulsions de test
Temps de discordance (décalage
entre la commutation d'OSSD2 et
OSSD1)
Entrées
Tension d'entrée à l'état HIGH (actif)
3)
Courant d'entrée HIGH
Tension d'entrée à l'état LOW (inac‐
tif)
3)
Courant d'entrée LOW
Capacité d'entrée
Entrée pour contrôle des contacteurs commandés (EDM)
Contacteurs raccordés
Temps de retombée autorisé
Temps de collage autorisé
Entrées réarmement, dégagement
Durée de manœuvre du dispositif de
commande
Entrées pour les signaux d'inhibition (muting), signaux supplémentaires pour l'inhibition (mut‐
ing), arrêt de bande
Filtre d'entrée
Signaux d'inhibition (muting)
Type de sortie des capteurs d'inhibi‐
tion (muting)
Minimum Standard
4 W
850 nm (infra‐
rouge proche
(NIR), invisible)
2 PNP à semi-conducteurs, protégées contre les courts-
circuits , avec surveillance des courts-circuits transver‐
2)
saux
100 ms
2 fois le temps de
réponse
U – 2,25 V 24 V
V
0 V 0 V
5)
130 µs 150 µs
3 s 5 s
-1 –1
11 V 24 V
6 mA 10 mA
–3 V 0 V
–2,5 mA 0 mA
50 ms
50 ms
Commutation
PNP
Maximum
4,8 W
U
V
2,0 V
500 mA chacune
2 mA chacune
2,2 µF
2,2 H
300 µs
10 s
-1
1 ms
30 V
15 mA
5 V
2 mA
15 nF
300 ms
300 ms
60 s
8024783/1JGK/2024-07-02 | SICK
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