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Chapitre 11
76
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Caractéristiques techniques
OSSD
Paire de sorties TOR
Tension de commutation à l'état haut sous
250 mA
Tension de commutation état bas
Pouvoir de commutation, source
13)
Courant de fuite
Inductance de charge
Charge capacitive
Fréquence de répétition (sans commutation)
Impédance de ligne permise
Largeur de l'impulsion test
Fréquence de test
Retard à la mise sous tension des OSSD de
rouge/vert
Décalage de temps en enclenchant les
OSSD entre OSSD2 et OSSD1
Sorties d'état : champ d'alarme,
encrassement du capot optique/défaut,
réarmement obligatoire
Tension de commutation à l'état haut sous
200 mA
Pouvoir de commutation, source
Limitation de courant (apres 5 ms sous
25 °C)
Délai de mise en marche
Délai de mise à l'arrêt
11)
Valable pour les tensions comprises entre U
12)
Des surcharges jusqu'à 500 mA sont possibles pendant un temps très court ( 100 ms).
13)
En cas de défaut (coupure de la ligne 0-V) seul le courant fuite passe par la liaison OSSD. L'organe de
commande connecté doit considérer cet état comme un état bas (LOW). Un automate programmable à
tolérance de panne (APS) doit être capable de reconnaître cet état.
14)
La résistance ohmique individuelle de chaque fil doit également être limitée de sorte qu'un court-circuit entre
les sorties soit reconnu. (Observer aussi la norme EN 60 204Y1.)
15)
Les sorties sont testées de manière cyclique à l'état actif (bref passage à l'état bas). Lors du choix de
l'élément de commutation piloté, il faut s'assurer que les impulsions de test ne peuvent entraîner la
commutation de cet élément.
Minimum
2 PNP à semi-conducteurs, protégées
contre les courts-circuits
surveillance des courts-circuits internes
U
– 2,7 V
V
0 V
12)
6 mA
14)
15)
U
– 3,3 V
V
600 mA
et 0 V.
v
Notice d'instructions
S200
Typique
Maximum
11)
, avec
U
V
0 V
3,5 V
0,25 A
250 µA
2,2 H
2,2 µF
sous 50
1
5
/
s
2,5
230 µs
300 µs
120 ms
120 ms
2 ms
U
V
100 mA
200 mA
920 mA
1,4 ms
2 ms
0,7 ms
2 ms
8011694/TL61/2009-12-10
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