SICK microScan3 Core I/O Notice D'instruction page 156

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CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES
156 N O T I C E D ' I N S T R U C T I O N | microScan3 Core I/O
Courant de sortie état ACTIF
(HIGH)
Courant de fuite
3)
Inductance de charge
Capacité de charge
Séquence de commutation
(sans commutation et sans
surveillance simultanée)
Résistance de ligne auto‐
risée entre la charge et
l'appareil
Largeur des impulsions de
test
Intervalle des impulsions de test
Durée du cycle de balayage
de 30 ms
Durée du cycle de balayage
de 40 ms
Durée du cycle de balayage
de 50 ms
Durée de l'état INACTIF
Temps différentiel (décalage
temporel entre la commuta‐
tion de OSSD2 et OSSD1
dans une paire d'OSSD)
Sortie universelle, E/S universelle (configurée en tant que sortie)
Tension de sortie HIGH
Tension de sortie LOW
Courant de sortie HIGH
Courant de fuite
Retard de mise sous tension 40 ms
Délai de retard au déclen‐
chement
Entrée de commande statique, entrée universelle, E/S universelle (configurée en tant
qu'entrée)
Tension d'entrée HIGH
Tension d'entrée LOW
Courant d'entrée HIGH
Courant d'entrée LOW
Résistance d'entrée pour
HIGH
Capacité d'entrée
Fréquence d'entrée
(séquence de commutation
max.) (en cas d'utilisation en
tant qu'entrée de com‐
mande)
Durée d'échantillonnage
microScan3 Core I/O
≤ 250 mA par OSSD
≤ 250 µA
≤ 2,2 H
≤ 2,2 µF en série pour 50 Ω
En fonction de l'inductance de charge
≤ 2,5 Ω
≤ 300 µs (typ. 230 µs)
240 ms ... 264 ms (typ. 240 ms)
320 ms ... 344 ms (typ. 320 ms)
400 ms
≥ 80 ms
≤ 1 ms (typ. 25 µs)
(U –3,7 V) à U
V V
0 V ... 2 V
≤ 200 mA
≤ 0,5 mA
40 ms
24 V (13 V ... 30 V)
0 V (–30 V ... 5 V)
3 mA ... 6 mA
0 mA ... 2 mA
Typ. 5 kΩ
10 nF
≤ 20 Hz
4 ms
8016347/15ZS/2019-11-14 | SICK
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