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Caractéristiques techniques
13.1
Fiche technique
8023042/17RR/2020-04-09 | SICK
Sujet à modification sans préavis
Tableau 11 : Données système générales TWINOX4
Hauteur du champ de protection,
selon le modèle
Résolution (capacité de détection),
selon le modèle
Portée
1) 2)
Classe de protection
3)
Indice de protection
Tension d'alimentation U
sur l'appa‐
V
reil
4)
Ondulation résiduelle
Type
Categoria
Niveau de performance
5)
Niveau d'intégrité de sécurité
Limite d'exigence SIL
5)
PFHd (probabilité moyenne d'une défaillance dangereuse par heure)
Système unique
T
(durée d'utilisation)
M
État sûr en cas de défaillance
Retard à la mise sous tension après
application de la tension d'alimenta‐
tion
Longueur d'onde
Sorties de commutation (OSSD)
Tension de commutation
8)
(active, U
)
eff
Tension de commutation à l'état LOW
(inactif)
Courant de commutation
Courant de fuite
9)
Capacité de charge
Séquence de commutation
Inductance de charge
10)
Caractéristiques des impulsions de test
Largeur des impulsions de test
Fréquence des impulsions de test
Résistance de câble autorisée
CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES
Minimum
300 mm, 420 mm, 600 mm
14 mm
0 m ... 3,6 m
III (CEI 61140)
IP65 (IEC 60529)
IP67 (IEC 60529)
19,2 V
Type 4 (CEI 61496-1)
Catégorie 4 (ISO 13849-1)
PL e (ISO 13849-1)
Respecter les caractéristiques optiques !
SIL3 (CEI 61508)
5)
Limite d'exigence SIL3 (CEI 62061)
4,3 x 10
–9
20 ans (ISO 13849-1)
Au moins une OSSD est à l'état INACTIF.
PNP à semi-conducteurs, protégée contre les courts-cir‐
cuits
, à surveillance des courts-circuits transversaux
7)
HIGH
U
- 2,2 V
v
0 V
0 mA
En fonction de l'inductance de charge
11)
120 µs
3 s
-1
Standard
Maximum
0 m ... 4,5 m
24 V
28,8 V
± 10 %
6)
3 s
850 nm
24 V
U
v
0 V
2 V
300 mA
0,25 mA
1 µF
2,2 H
150 µs
300 µs
5 s
-1
10 s
-1
1,29 Ω
N O T I C E D ' I N S T R U C T I O N | TWINOX4
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