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Modèle S4000TH
9.0 Annexe
9.1 Garantie
General Monitors garantit que le S4000TH est exempt de défauts de main d'œuvre ou de
matériel, dans des conditions d'utilisation et de service normales, pour une durée de deux ans
à partir de la date d'expédition.
General Monitors se charge de réparer ou remplacer, sans aucun frais, tout matériel constaté
défectueux pendant la période de garantie. La nature des défectuosités et des dégâts
constatés sur le matériel ainsi que les personnes en étant responsables sont déterminées par
le personnel de General Monitors.
Tout matériel défectueux ou endommagé doit être envoyé à une usine General Monitors ou au
représentant ayant expédié le matériel. Dans tous les cas, cette garantie est limitée aux frais
pour le matériel fourni par General Monitors. Le client est tenu responsable pour toute
utilisation incorrecte de ce matériel par ses employés ou tout autre personnel.
Toutes les garanties dépendent d'une utilisation correcte dans le cadre de l'application pour
laquelle le produit est prévu et ne prennent nullement en charge des produits ayant été
modifiés ou réparés sans l'accord de General Monitors ou bien lesquels ont été négligés,
accidentés, sujets d'une installation ou application incorrectes ou bien encore sur lesquels les
marques d'identification d'origine ont été retirées ou modifiées.
Mis à part pour la garantie explicite indiquée ci-dessus, General Monitors refuse toutes
garanties en rapport avec les produits vendus, y compris les assertions implicites de
qualification et de qualité usuelle, et les garanties explicites citées ici remplacent toutes les
obligations de General Monitors résultant de dégâts, y compris des dégâts consécutifs (mais
pas seulement), résultant de la performance du produit.
9.2 Principe de fonctionnement
General Monitors utilise un film métal-oxyde-semiconducteur (MOS) exclusif sur le détecteur
pour détecter le gaz de sulfure d'hydrogène (H
S). Le film MOS est déposé sur un support
2
entre deux électrodes. En l'absence de gaz, la résistance mesurée entre ces deux électrodes
est très élevée (se compte en méga-ohms). À mesure que le film adsorbe l'H
S, la résistance
2
entre ces deux électrodes diminue (en kilo-ohms). Cette diminution de la résistance est
proportionnelle logarithmiquement à la concentration présente d'H
S.
2
Le changement de résistance est converti en un changement de tension et amplifié par le
circuit d'entrée. Ce signal amplifié est transmis à un convertisseur analogique-numérique (A/D),
converti en signal numérique et envoyé au microprocesseur pour être traité. Le processus
d'adsorption de l'H
S sur le film MOS atteint une efficacité optimale à température élevée. Le
2
bord extérieur du support comporte un anneau chauffant. La température de cet anneau
chauffant est mesurée à l'aide d'une thermistance et maintenue constante par un circuit situé
dans le corps du détecteur.
À mesure que le film adsorbe l'H
S, les électrons se déplacent plus librement d'une électrode à
2
l'autre. Ceci est représenté par une diminution de la résistance. Le processus d'adsorption de
l'H
S sur le film MOS est entièrement réversible. À mesure que la concentration d'H
S diminue
2
2
(H
S désorbe), la résistance entre les électrodes augmente.
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