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8025937/1FYD/2022-05-11 | SICK
Sujet à modification sans préavis
Mode sortie
Tension de sortie à l'état
ACTIF (HIGH) en mode PNP
Tension de sortie à l'état
INACTIF (LOW) en mode
PNP
Tension de sortie à l'état
ACTIF (LOW) en mode NPN
Tension de sortie à l'état
INACTIF (HIGH) en mode
NPN
Courant de sortie à l'état
ACTIF
Courant de fuite
Inductance de charge
Capacité de charge
Résistance de ligne autori‐
sée entre et la charge pour
un système seul
Résistance de ligne autori‐
sée entre et la charge dans
une cascade
Largeur d'impulsion de test
Intervalle des impulsions de
test
Décalage des impulsions
de test (entre l'OSSD1 et
l'OSSD2)
Temps différentiel (déca‐
lage temporel entre la com‐
mutation de OSSD2 et
OSSD1 dans une paire
d'OSSD)
Sortie universelle Uni-O
Type de sortie
Tension de sortie (HIGH)
Tension de sortie (LOW)
Courant de sortie
Courant de fuite
Inductance de charge
Capacité de charge
Entrées de commande (IN 1, IN 2, IN 3)
Tension d'entrée pour l'état
ACTIF (HIGH)
Tension d'entrée pour l'état
INACTIF (LOW)
CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES
Vous pouvez configurer le mode de sortie global pour les deux
OSSD. Les OSSD peuvent émettre des signaux selon les modes
suivants :
•
PNP : réglage standard pour toutes les applications (y com‐
pris les applications relatives à la sécurité)
•
NPN : uniquement pour les applications non liées à la sécu‐
rité
(U
- 2,25 V) ... U
V
V
0 V ... 2 V
0 V ... 2,25 V
U
- 2 V) ... U
(V
V
≤ 200 mA
≤ 250 µA
5)
≤ 2,2 H
≤ 1 μF
≤ 2,5 Ω
≤ 1 Ω
130 µs ... 300 µs (typ. 150 µs)
160 ms ... 240 ms (typ. 200 ms)
80 ms ... 120 ms (typ. 100 ms)
≤ 1 ms
Sortie push-pull
(U
- 2,25 V) ... U
V
V
0 V ... 2 V
≤ 200 mA
≤ 2 mA
≤ 2,2 H
≤ 1 μF
6)
8 V ... 30 V
-3 V ... 5 V
N O T I C E D ' I N S T R U C T I O N S | scanGrid2 I/O
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