Chapitre 7
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Caractéristiques techniques
Emetteur
Entrée test
Impédance d'entrée
(niveau haut)
Emetteur désactivé (Test)
Emetteur activé
Temps de réponse au test
Consommation
Récepteur
Sorties
TOR/OSSD
sortie d'état
sorties OSSD et d'état:
Tension état HAUT,
sortie activée (U
)
eff
Tension de commutation
état BAS
Pouvoir de commutation
3)
Courant de fuite
Charge capacitive
Caractéristiques impulsionnelles
Largeur de l'impulsion test
Fréquence de l'impulsion test
(selon type)
Impédances de ligne permise
entre l'appareil et la charge
Temps de réponse, selon type
(cf. tableau)
Délais de commutation après
désoccultation du faisceau
1)
Le temps est mesuré depuis l'activation de l'entrée test jusqu'au moment de la coupure de la sortie OSSD.
2)
Valable pour les tensions comprises entre U
3)
En cas de défaut (coupure de la ligne 0 V) la sortie se comporte comme une résistance > 480 kg par rapport
à U
. L'organe de commande auquel est connecté le TGS doit considérer cet état comme un état bas (LOW).
V
4)
Les sorties font l'objet d'un test cyclique lorsqu'elles sont activées (commutation impulsionnelle à l'état bas).
Lors du choix de l'élément de commutation piloté, il faut s'assurer que les impulsions de test ne peuvent
entraîner la commutation de cet élément.
5)
La résistance ohmique individuelle de chaque fil doit également être limitée de sorte qu'un court-circuit entre
les sorties soit reconnu. (Consultez la norme EN 60 204 Equipement électrique des machines Partie 1: Règles
générales pour plus
d'informations.
6)
Cette valeur est valable pour l'interruption du faisceau de synchronisation (1er faisceau côté connecteur de
l'appareil).
mini.
5 kg (par rapport au 0 V)
0 V
17 V
1)
PNP à semi-conducteurs, surveillance active,
protégées contre les courts-circuits
(2,2 kg par rapport au 0 V dans l'appareil)
PNP à semi-conducteurs, protégées contre les
2)
courts-circuits
(2,2 kg par rapport au 0 V dans l'appareil)
U
– 2,25 V
V
0 V
4)
240 µs
9,5 ms
5)
7,5 ms
et 0 V (2,2 kg par rapport au 0 V dans l'appareil)
V
Notice d'instructions
typ.
maxi.
12 V
28,8 V
37 ms
3 W
2)
U
V
5 V
20 mA
< 40 µA
3 nF
250 µs
260 µs
14 ms
18,5 ms
100
18 ms
2 x temps de
200 ms
réponse
8010477/TA96/2009-12-03
TGS
6)