Guide condensé
8.8 Brésil
E2 INMETRO Antidéflagrance
Certificat :
Normes :
Marquages : Ex d IIC T* Ga/Gb, T6 (-60 °C T
Conditions spéciales pour une utilisation en toute sécurité (X) :
1. Cet appareil contient une membrane fine. L'installation, la maintenance et l'utilisation
doivent tenir compte de l'environnement auquel la membrane est soumise. Les
instructions du fabricant pour l'installation et la maintenance doivent être strictement
suivies pour garantir la sécurité pendant sa durée de vie escomptée.
2. Contacter le fabricant pour plus de renseignements sur les dimensions des joints
antidéflagrants.
I2 INMETRO Sécurité intrinsèque
Certificat :
Normes :
Marquages : Ex ia IIC T4 Ga, T4 (-60 °C T
Conditions spéciales pour une utilisation en toute sécurité (X) :
1. Si l'équipement est équipé du limiteur de surtension de 90 V en option, celui-ci n'est pas
en mesure de résister au test d'isolation de 500 V et cela doit être pris en compte lors de
l'installation.
2. Pour les procédés dont les températures sont supérieures à 135 °C, l'utilisateur doit
évaluer si la classe de température du SuperModule convient à de telles applications, car
dans cette situation, la température du SuperModule risque de dépasser T4.
Paramètres
Tension U
Intensité I
Puissance P
Capacité C
Inductance L
8.9 Chine
E3 Chine Antidéflagrant, protection contre les coups de poussière
Certificat :
Normes :
Marquages : 3051SMV : Ex d IIC T6/T5 Ga/Gb
22
UL-BR 15.0393X
ABNT NBR CEI 60079-0:2008 + Rectificatif 1:2011,
ABNT NBR CEI 60079-1:2009 + Rectificatif 1:2011,
ABNT NBR CEI 60079-26:2008 + Rectificatif 1:2008
UL-BR 15.0357X
ABNT NBR IEC 60079-0:2008 + Addendum 1:2011,
ABNT NBR IEC 60079-11:2009
Entrée
30 V
i
300 mA
i
1 W
i
14,8 nF
i
0
i
3051SMV : GYJ14.1039X [fabriqué aux États-Unis, en Chine, à Singapour]
3051SFx : GYJ11.1711X [fabriqué aux États-Unis, en Chine, à Singapour]
3051SMV : GB3836.1-2010, GB3836.2-2010, GB3836.20-2010
3051SFx : GB3836.1-2010, GB3836.2-2010, GB3836.20-2010,
GB12476.1-2000
3051SFx : Ex d IIC T6/T5 Ga/Gb ; DIP A20 T
+70 °C), T5/T4 (-60 °C T
a
+70 °C)
a
HART
Sonde de
température
30 V
2,31 mA
17,32 mW
0
0
Février 2019
+80 °C), IP66
a
Fieldbus
Sonde de
Entrée
température
30 V
300 mA
18,24 mA
1,3 W
137 mW
0
0
1,33 mH
105 °C ; IP66
A
30 V
0,8 nF