Funktionen; Regelungsmodi - Carel FCR3 Mode D'emploi

GER

6.1 Regelungsmodi

Die Regelung erfolgt mit einem Analogsignal (B/GND an Klemme J1), das
von der Variable INFCR gelesen wird (IR.6). Abhängig von der Einstellung
der DIP-Schalter S2.2 und S2.3 kann der Eingangstyp gewählt werden,
dem ein anderer Eingangswiderstand entsprechen kann. Die Hardware-
Zeitkonstante ist für jede Einstellung dagegen dieselbe.
Eingangstyp DIP-Schalter S2.2
0/10-V-Eingang
0/5-V-Eingang
0-20-mA-Eingang
Die Regelung kann auch in Verwendung der speicherinternen Variable
INMEM (HR.7) durch die Aktivierung der Wertänderung im Eingang
erfolgen.
Der Eingang wird mit einer spezifi schen Konstante gefi ltert und liefert
das eff ektive Regelsignal. Dies verhindert brüske Änderungen auch beim
Übergang zwischen der manuellen und speicherinternen Konfi guration.
GND
B
DELAY
Im Fig. 6.a ist die Verarbeitung des Regelsignals dargestellt.
Das Analogsignal (Spannung/Strom) wird mit DIP-Schalter S2.2 und
S2.3 verarbeitet. Es ist somit in einem Wertebereich zwischen 0 ÷ 100
verfügbar. Durch die Aktivierung der Wertänderung (IOVR) kann ein
speicherinterner Wert oder der verarbeitete Wert gewählt werden.
Abhängig von der Einstellung des DIP-Schalters S2.1 (MEM/MAM) und
der Wertänderung gibt es drei wählbare Ansprechverzögerungsstufen
für die Variablenintegration.
Par. Modb. Bereich Def.
INFCR IR.6 0 .. 100 0
INMEM HR.7 0 .. 100 0
IOVR CO.9 0/1
DELAYFCR IR.2 0 .. 100 R
DELAYMEM HR.2 0 .. 100 100
DELAYINMEM HR.8 0 .. 100 100
IN IR.10 0.100
SEL IR.1 0/1
"FCR3 Dreiphasiger Drehzahlregler" +030222151 - rel. 1.3 - 12.01.2021

6. FUNKTIONEN

DIP-Schalter S2.3
OFF OFF
ON OFF
ON ON
IN
Analog Sel
FOR
Dip S2.2/S2.3
IN
MEM
DELAY
FCR
OFF
ON
DELAY DELAYIN
MEM
DIPS2.1/SEL
ME Beschreibung
1% Regelung des analogen Einganges über FCR
1% Regelung des Einganges über speicherinternen Parameter
0 1 Wertänderung im Eingang
1% Verzögerung über manuellen FCR-Parameter
1% Verzögerung über speicherinternen Parameter
1% Verzögerung über speicherinternen Parameter für INMEM
R 1% Verarbeiteter Eingangswert
R 1 Manuelle Konfi guration = 0, Konfi guration mit speicherinternen Parametern = 1 Dip S2.1
Eingangswiderstand Eingangskonstante τ
20 KΩ
20 KΩ 0,25 sec
250 Ω
0
+
1
–
0
Selezione
MEM
1
IOVR
Fig. 6.a
14
Eingangsbereich Variablenbereich INFCR
0 ÷ 5V 0 ÷ 100 %
0 ÷ 10 V 0 ÷ 100 %
0 ÷ 20 mA 0 ÷ 100%
IN (IR.10)
Aktivierung
Aktiv bei IOVR=0
Aktivi bei IOVR= 1
Aktivi bei IOVR=0 und DIP S2.1=OFF
Aktiv bei IOVR=0 und DIP S2.1=ON
Aktiv bei IOVR=1
Tab. 6.a
Tab. 6.b