Fonctionnalité; Mode De Réglage - Carel FCR3 Mode D'emploi

FRE
6.1 Mode de réglage
Le réglage du dispositif a lieu grâce à un signal de réglage analogique (B/
GND sur la borne J1) qui est lu par la variable INFCR (IR.6). En fonction de la
sélection avec les Dip-switch S2.2 et S2.3, il est possible de sélectionner le
type d'entrée qui peut correspondre à une résistance d'entrée diff érente.
Par contre la constante de temps hardware (matériel) est identique pour
chaque sélection.
Type d'entrée Dip-swicth S2.2
Entrée 0/10 V
Entrée 0/5 V
Entrée 0-20 mA
Le réglage peut également s'eff ectuer en utilisant la variable dans la
mémoire INMEM (HR.7), grâce à l'activation de la superposition de l'entrée.
L'entrée est donc fi ltrée avec une certaine constante et fournit le signal de
réglage eff ectif. Ce système permet d'avoir des variations non brusques
même dans le passage entre la sélection manuelle et interne.
GND
B
DELAY
DELAY
La fi gure 6.a permet de voir le passage du conditionnement du signal
de réglage.
Le signal analogique est conditionné (tension/courant) avec les Dip S2.2
et S2.3, puis il est disponible dans une plage de 0 à 100. Avec la sélection
de la superposition (IOVR), il est possible de choisir la valeur dans la
mémoire ou celle conditionnée.
En fonction de la sélection du Dip S2.1 (MEM/MAM) et de la superposition,
il y a 3 niveaux de retard de réponse à sélectionner, qui gèrent l'intégration
de la variable
Par. Modb Plage
INFCR INIR.6 0 .. 100 0
INMEM HR.7 0 .. 100 0
IOVR CO.9 0/1
DELAYFCR IR.2 0 .. 100 R
DELAYMEM HR.2 0 .. 100 100
DELAYINMEM HR.8 0 .. 100 100
IN IR.10 0 100
SEL IR.1 0/1
« FCR3 régulateur triphasé » +030222151 - rel. 1.3 - 12.01.2021
6. FONCTIONNALITÉ
Dip-swicth S2.3
OFF OFF
ON OFF
ON ON
IN
Analog Sel
FOR
Dip S2.2/S2.3
IN
MEM
DELAY
FCR
OFF
ON
DELAYIN
MEM
DIPS2.1/SEL
Déf. U.M. Description
1% Réglage entrée analogique par FCR
1% Réglage entrée interne par la mémoire
0 1 Superposition entrée
1% Retard par manuel FCR
1% Retard par Mémoire
1% Retard par Mémoire pour INMEM
R 1% Valeur conditionnée par l'ensemble d'entrée
R 1 Sélection manuelle =0, Internes =1
Résistance entrée Constante entrée τ
20 KΩ
20 KΩ 0,25 s.
250 Ω
0
+
1
–
0
Selezione
MEM
1
IOVR
Fig. 6.a
14
Plage entrée Plage variable INFCR
0 ÷ 5V 0 ÷ 100 %
0 ÷ 10 V 0 ÷ 100 %
0 ÷ 20 mA 0 ÷ 100%
IN (IR.10)
Activation
Activé avec IOVR=0
Activé avec IOVR= 1
Activé avec IOVR=0 et Dip S2.1=OFF
Activé avec IOVR=0 et Dip S2.1=ON
Activé avec IOVR=1
Dip S2.1
Tab. 6.a
Tab. 6.b