Emerson Rosemount 3051 Guide Condensé page 21

Février 2019
I1 Certification ATEX de sécurité intrinsèque et poussière
Certificat :
Normes :
Marquages :
Tableau 7. Paramètres d'entrée
Conditions spéciales pour une utilisation en toute sécurité (X) :
1. L'appareil n'est pas en mesure de résister au test d'isolation de 500 V exigé par la
norme EN60079-11. Ce point doit être pris en considération lors de l'installation de
l'appareil.
2. Le boîtier peut être constitué d'un alliage d'aluminium enduit de peinture à base de
polyuréthane ; prendre toutefois des précautions pour protéger le revêtement
contre les chocs ou l'abrasion si l'équipement est implanté dans une zone 0.
3. Certaines variantes de l'équipement ont des marquages réduits sur la plaque
signalétique. Se reporter au certificat pour le marquage complet de l'équipement.
N1 ATEX Type « n » et poussière
Certificat :
Normes :
Marquages :
Conditions spéciales pour une utilisation en toute sécurité (X) :
1. L'appareil n'est pas en mesure de résister au test d'isolation de 500 V exigé par la
norme EN60079-15. Ce point doit être pris en considération lors de l'installation de
l'appareil.
2. Certaines variantes de l'équipement ont des marquages réduits sur la plaque
signalétique. Se reporter au certificat pour le marquage complet de l'équipement.
International
E7 IECEx Antidéflagrance et poussière
Certificat :
Normes :
Marquages : Ex d IIC T6/T5 Ga/Gb, T6 (-50 °C ≤ T
Tableau 8. Température du procédé
Classe de température
BAS97ATEX1089X ; Baseefa11ATEX0275X
EN60079-0:2012, EN60079-11:2012, EN60079-31:2009
II 1 G Ex ia IIC T5/T4 Ga, T5 (-60 °C ≤ T
II 1 D Ex ta IIIC T95 °C T
Tension U
i
Intensité I
i
Puissance P
i
Capacité C
i
Inductance L
i
BAS00ATEX3105X ; Baseefa11ATEX0275X
EN60079-0:2012, EN60079-15:2010, EN60079-31:2009
II 3 G Ex nA IIC T5 Gc (-40 °C ≤ T
II 1 D Ex ta IIIC T95 °C T
IECEx KEM 09.0034X ; IECEx BAS 10.0034X
CEI60079-0:2011, CEI60079-1:2007-04, CEI60079-26:2006,
CEI60079-31:2008
Ex ta IIIC T95 °C T
T6
T5
105 °C Da (-20 °C ≤ T
500
HART
30 V
200 mA
0,9 W
0,012 μF
0 mH
≤ +70 °C) ;
a
105 °C Da (-20 °C ≤ T
500
≤ +65 °C), T5 (-50 °C ≤ T
a
105 °C Da (-20 °C ≤ T
500
Température du procédé
-50 °C à +65 °C
-50 °C à +80 °C
Guide condensé
≤ +40 °C), T4 (-60 °C ≤ T
a
≤ +85 °C)
a
≤ +85 °C)
a
≤ +85 °C)
a
≤ +70 °C)
a
≤ +80 °C) ;
a
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