Compatibilité Électromagnétique; Grandeurs Perturbatrices Impulsionnelles; Grandeurs Perturbatrices Sinusoïdales - Siemens SIMATIC ET 200pro Instructions De Service

11.2 Compatibilité électromagnétique
Définition
La compatibilité électromagnétique est la capacité d'un équipement électrique à fonctionner
de manière satisfaisante dans son environnement sans influencer ce dernier.
Le système de périphérie décentralisée ET 200pro satisfait aussi, entre autres, aux exigences
de la réglementation CEM de l'Union Européenne. La condition requise est la conformité du
système de périphérie décentralisée ET 200pro aux prescriptions et directives en matière de
montage électrique.

Grandeurs perturbatrices impulsionnelles

Le tableau suivant décrit la compatibilité électromagnétique du système de périphérie
décentralisée ET200pro par rapport aux grandeurs perturbatrices impulsionnelles.
Grandeur perturbatrice impul-
sionnelle
Décharge électrostatique
selon CEI 61000-4-2
Impulsions en salves (grandeurs
perturbatrices rapides transi-
toires) selon
CEI 61000-4-4
Impulsion unique à haute énergie (transitoire) selon CEI 61000-4-5
Seulement avec éléments parafoudres (voir manuel du maître DP et des-
cription Réseaux PROFIBUS SIMATIC NET)
•
•
Grandeurs perturbatrices sinusoïdales
Le tableau ci-après indique la compatibilité électromagnétique de la station de périphérie
décentralisée ET 200pro avec les grandeurs perturbatrices sinusoïdales.
80 à 1000 MHz ; 1,4 à 2 GHz
10 V/m 80 % MA (1 kHz)
2 à 2,7 GHz
1 V/m avec 80 % MA (1 kHz)
Système de périphérie décentralisée ET 200pro
Instructions de service, 01/21, A5E00335545-AO
Couplage asymétrique
Couplage symétrique
Rayonnement RF selon CEI 61000-4-3
Champ électromagnétique HF
modulation d'amplitude
Caractéristiques techniques générales
11.2 Compatibilité électromagnétique
Testé avec
8 kV
6 kV
2 kV (câble d'alimentation)
2 kV (câble de signal)
2 kV (câble d'alimentation)
2 kV (câble de signal/câble de don-
nées)
1 kV (câble d'alimentation)
1 kV (câble de signal/câble de don-
nées)
0,15 à 80 MHz
10 V non modulé
eff
80 % MA (1 kHz)
150 Ω impédance des sources
Equivaut à classe de
sévérité
3 (décharge électrosta-
tique)
3 (décharge par contact)
3
3
3
Injection RF selon
CEI 61000-4-6
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