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Notice technique
Article no.: 0-48-0202 Rev. a
SURVEILLANCE DES TRANSISTORS D'ACTIVATION DU RELAIS
PATIENT :
La détection de défaut des transistors Q12A et Q12B d'activation du
relais patient est réalisée par l'intermédiaire du signal DUFD. En cas
de court-circuit d'un des deux transistors le potentiel de repos du
signal DUFD polarisé par les résistances R97 et R98 est modifié.
Cette variation est détectée par l'intermédiaire du comparateur à
fenêtre composé par U11C et U11D. Après une durée d'environ 2,5
s ; la bascule défaut U10A est déclenchée par l'intermédiaire de
U11A, U9C et U9A. Le déclenchement de la bascule défaut provoque
comme décrit précédemment, la conduction du transistor Q25 par
l'intermédiaire du signal FDUO et par conséquent la décharge de
sécurité
du
condensateur
Surveillance du circuit de commutation HT)
SURVEILLANCE DE LA TENSION DE CHARGE DU CONDENSATEUR HT :
La détection de surtension en cas de défaut du circuit arrêt de charge
est réalisée par le comparateur U9B qui surveille l'amplitude du signal
CHVM. Lorsque la tension de charge du condensateur HT atteint 3,3
kV environ, le signal CHVM divisé par R269 et R273 provoque le
déclenchement du comparateur U9B qui active la bascule défaut
U10A par l'intermédiaire de U9A. La décharge de sécurité du
condensateur HT ainsi que l'arrêt du générateur HT est réalisée
comme
décrit
précédemment
Surveillance du circuit de commutation HT).
Explications techniques 6
HT
(voir
paragraphe
(voir
paragraphe
précédent,
précédent,
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