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8024599/1IVX/2023-02-22 | SICK
Sujet à modification sans préavis
Type de sortie
Tension de sortie état ACTIF
(HIGH)
Tension de sortie état INAC‐
TIF (LOW)
Courant de sortie état ACTIF
(HIGH)
Courant de fuite
Inductance de charge
Capacité de charge
Résistance de ligne autori‐
sée entre la charge et l'ap‐
pareil
Largeur d'impulsion de test
Intervalle des impulsions de
test
Durée de l'état INACTIF
Temps de discordance
(décalage temporel entre
la commutation des OSSD
d'une paire d'OSSD)
Sortie universelle, E/S universelle (configurée en tant que sortie)
Tension de sortie HIGH
Tension de sortie LOW
Courant de sortie HIGH
Courant de fuite
Retard de mise sous tension 30 ms
Délai de retard au déclen‐
chement
Entrée de commande statique, entrée universelle, E/S universelle (configurée en tant qu'en‐
trée)
Tension d'entrée HIGH
Tension d'entrée LOW
Courant d'entrée HIGH
Courant d'entrée LOW
Capacité d'entrée
Fréquence d'entrée
(séquence de commutation
max.) (en cas d'utilisation
en tant qu'entrée de com‐
mande)
Durée d'échantillonnage
Délai de réponse à EDM
après la mise en route des
OSSD (en cas d'utilisation en
tant qu'entrée EDM)
CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES
nanoScan3 Core I/O
2 PNP à semi-conducteurs par paire d'OSSD, protection contre
les courts-circuits, surveillance des courts-circuits transversaux
(U
– 2 V) ... U
V
V
0 V ... 2 V
0,5 mA à 250 mA par OSSD
≤ 250 µA
≤ 2,2 H
≤ 1 µF en série pour 50 Ω
≤ 4 Ω
≤ 300 µs (typ. 230 µs)
Typ. 8 × durée du cycle de balayage
≥ 80 ms
≤ 10 ms
(U
– 2 V) ... U
V
V
0 V ... 2 V
0,5 mA à 200 mA
3)
≤ 250 µA
30 ms
24 V (11 V ... 30 V)
0 V (-30 ... 5 V)
2 mA ... 3 mA
0 mA ... 2 mA
Typ. 10 nF
≤ 20 Hz
4 ms
300 ms
N O T I C E D ' I N S T R U C T I O N S | nanoScan3 I/O
nanoScan3 Pro I/O
3)
0,5 mA à 250 mA par OSSD
0,5 mA à 200 mA
4)
0 V (-30 à 5 V)
13
4)
129
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