Table des Matières
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Plage „H:M"
Mémoire rémanente
Cycles d'écriture mémoire
rémanente (min.)
Tension assignée
d'emploi
Plage admissible
Ondulation résiduelle
Courant d'entrée
à tension assignée
Tolérance aux micro-
coupures (IEC 61131-2)
Puissance dissipée
Fusible
682
min
Alimentation DC
u
V
V DC
%
mA
ms
W
A
01/13 MN05013001Z-FR
ES4P...
1
10
10000000000 (10
)
(cycles lecture/écriture)
ES4P...
24 CC (-15/+20 %)
20,4 à 28,8
F 5
<250
10
<6
f 1 à F 4
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