Sun Microsystems StorEdge T3+ Manuel D'installation Et De Configuration page 216

L
LC
M
méga-octet (Mo)
méga-octets
par seconde (Mo/s)
mémoire EPROM
mémoire FLASH
mémoire SDRAM
mise au repose
mise en mémoire
tampon
mise en cache d'écriture
mise en cache de lecture
mode de cache
automatique
Multi-acheminement
dynamique (DMP)
194 Manuel d'installation et de configuration de la baie Sun StorEdge T3+ • août 2002
Standard industriel utilisé pour l'attribution d'un nom aux connecteurs
standard. La baie Sun StorEdge T3+ array utilise un connecteur LC-SFF pour la
connexion FC-AL de l'hôte.
Unité égale à un million d'octets (1 000 000).
Mesure du débit de transfert de données.
Mémoire intégrée dans la carte contrôleur. Elle permet un stockage stable de
longue durée sans électricité, tout en étant reprogrammable.
Mémoire intégrée dans la carte contrôleur. Elle est utilisée pour le stockage du
microprogramme EPROM.
Type de mémoire dynamique à accès sélectif pouvant fonctionner à une
fréquence d'horloge supérieure à celle de la mémoire DRAM ordinaire.
Permet d'arrêter l'activité de toutes les unités de disque.
Données transférées entre l'hôte et les unités.
Données permettant de construire des bandes de données, éliminant les
lectures-modifications-écritures auxiliaires. La mise en cache d'écriture
améliore les performances des applications qui écrivent sur le disque.
Données destinées à une extraction future permettant de réduire les E/S sur
disque.
Mode de cache par défaut des baies Sun StorEdge T3 et T3+. Dans une
configuration entièrement redondante, le cache est réglé en mode d'écriture
différée. Dans une configuration non redondante, le cache est réglé en mode de
double écriture. La mise en cache de lecture est toujours effectuée.
Fonctionnalité du gestionnaire de volume VERITAS qui fournit un mécanisme
d'acheminement de secours des données en cas de basculement d'un
contrôleur.