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Notice d'instructions
C 4000 Micro/Basic/Eco
Tab. 16 : Caractéristiques
techniques C 4000
Basic/Micro/Eco (suite)
8 009 424/O855/29-04-05
AUDIN - 7 bis rue de Tinqueux - 51100 Reims - France - Tel : 03.26.04.20.21 - Fax : 03.26.04.28.20 - Web : http: www.audin.fr - Email : info@audin.fr
Caractéristiques techniques
Récepteur
Sorties TOR de sécurité (OSSD)
Temps de réponse
Temps de réponse (ouverture)
Temps de réponse (fermeture)
Tension de commutation
l'état haut (activé, U
)
eff
Tension de commutation
l'état bas (désactivé)
Courant de commutation
8)
Courant de fuite
Charge capacitive
Fréquence de répétition
9)
Inductance de charge
Caractéristiques des impulsions
10)
de test
Largeur de l'impulsion test
Fréquence de répétition
Impédance de ligne permise
entre l'appareil et la charge
Ligne d'alimentation
Puissance consommée
6)
Valable pour les tensions comprises entre –30 V et 30 V.
7)
Selon CEI 61 131-2.
8)
En cas de défaut (coupure de la ligne 0-V) seul le courant fuite passe par la liaison OSSD. L'organe de
commande auquel est connecté le doit considérer cet état comme un état bas (LOW). Un automate
programmable de sécurité doit être capable de reconnaître cet état.
9)
Pour une fréquence de commutation faible, la charge inductive maximale permise est plus élevée.
10)
Les sorties sont testées de manière cyclique à l'état actif (bref passage à l'état bas). Lors du choix de
l'élément de commutation piloté, il faut s'assurer que les impulsions de test ne peuvent entraîner la
commutation de cet élément.
11)
La résistance ohmique individuelle de chaque fil doit également être limitée de sorte qu'un court-circuit entre
les sorties soit reconnu. (Consulter la norme EN 60 204 Équipement électrique des machines, Partie 1 :
Règles générales).
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Minimum
2 PNP à semi-conducteurs, protégées contre les
6)
courts-circuits
, avec surveillance des courts-
circuits internes
Voir section 10.2 page 52
100 ms
7)
à
15 V
7)
à
0 V
0 mA
Dépend de l'inductance de charge
120 µs
1
3
/s
11)
Chapitre 10
Type
Maximum
2,5 × Temps de
réponse
24 V
28,8 V
0 V
3,5 V
500 mA
0,25 mA
2,2 µF
2,2 H
150 µs
300 µs
1
1
5
/s
10
/s
2,5
1
0,45 A + maxi.
1 A charge
OSSD
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