SICK deTem4 LT Muting A/P Notice D'instructions page 91

8024803/1DAL/2022-09-01 | SICK
Sujet à modification sans préavis
Sorties de commutation (OSSD)
Temps de réponse
Durée de l'état INACTIF
Retard de mise en circuit
État ACTIF, tension de commutation à
l'état HIGH (U )
2)
eff
État INACTIF, tension de commuta‐
tion à l'état LOW
2) 3)
Capacité de charge des OSSD
Courant de fuite
Capacité de charge
Inductance de charge
Caractéristiques des impulsions de test
Largeur d'impulsion de test
Fréquence des impulsions de test
Temps de discordance (décalage
entre la commutation d'OSSD2 et
OSSD1)
Entrées
Tension d'entrée à l'état HIGH (actif)
2)
Courant d'entrée HIGH
Tension d'entrée à l'état LOW (inac‐
tif) 2)
Courant d'entrée LOW
Entrée du bouton-poussoir de réarmement (RES)
Durée de manœuvre du dispositif de
commande
Entrée pour la validation d'inhibition (muting) C1
Filtre d'entrée
Entrée Dégagement (override)
Durée de manœuvre du dispositif de
commande
Entrées pour les signaux d'inhibition (muting)
Filtre d'entrée
Sortie d'état (ADO)
Tension de sortie à l'état HIGH (actif) U
Tension de sortie à l'état LOW (inac‐
tif)
Courant de sortie à l'état HIGH (actif)
Résistance de câble autorisée
Câble d'alimentation
Câble entre OSSD et charge
CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES
Minimum Standard
2 PNP à semi-conducteurs, protégées contre les courts-
circuits , avec surveillance des courts-circuits transver‐
1)
saux
100 ms
2 x temps de
réponse
U – 2,25 V 24 V
V
0 V 0 V
4)
150 µs
3 s –1 5 s
11 V 24 V
6 mA 10 mA
–3 V 0 V
–2,5 mA 0 mA
50 ms
50 ms
50 ms
50 ms
PNP à semi-conducteurs, protégée contre les courts-cir‐
cuits 1)
– 3 V
V
Haute impédance
5)
N O T I C E D ' I N S T R U C T I O N S | deTem4 LT Muting A/P
Maximum
20 ms
U
a
2,0 V
500 mA chacune
2 mA chacune
2,2 µF
2,2 H
300 µs
–1 10 s -1
1 ms
30 V
20 mA
5 V
0,5 mA
60 s
60 s
100 mA
2 Ω
2,5 Ω
13
91