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Introduction au BIOS
fréquence de la DRAM en utilisant la valeur stockée en elle.
DRAM ECC Mode:
Quand la série à [ECC], votre module de DRAM soutiendra le Mode de ECC.
CAS Latency Time:
Trois options sont disponibles: 2
délai de latence CAS (Column Address Strobe) SDRAM en fonction des spécifications de votre SDRAM.
Row Cycle Time:
Cet élément attribue au RAS# active le temps d'activité RAS# ou le temps de rafraîchissement autant de
la même banque.
Row Refresh Cycle Time:
Cet élément attribue à l'activité de rafraîchissement auto le temps d'activité RAS# ou le temps de
rafraîchissement auto RAS#.
RAS# to CAS# Delay:
Cet élément attribue à RAS# le délai d'écriture-lecture CAS# de la même banque.
RAS# to RAS# Delay:
Cet élément attribue à RAS# actif le délai d'activité RAS# d'une banque différente.
Min. RAS# Active Time:
Cet élément spécifie le temps d'activité RAS# minimum.
RAS# Precharge Time:
Cet élément spécifie le temps de précharge RAS#.
Write Recovery Time:
Cet élément indique le temps mesuré depuis que la dernière donnée inscrite a été effectivement
enregistrée par la DRAM.
Write to Read Delay:
Cet élément indique le temps mesuré depuis l'apogée suivant le dernier strobe de données non masquées
jusqu'à l'apogée de la commande de lecture suivante.
Read to Write Delay:
Cet élément spécifie le délai écriture sur lecture.
2.5
3. Le réglage par défaut est 2.5. Vous pouvez sélectionner le
3-11
Manuel de l'utilisateur
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