SICK LFC Manuel De Mise En Service page 54

10 Anexo
Condiciones ambientales
Temperatura ambiental en la carcasa
Temperatura de almacenaje y transporte -40 ... +80 °C (-40 ... +176 °F)
Humedad relativa del aire
Condiciones ambientales mecánicas
Oscilaciones sinusoidales
Impactos
Resistencia a los golpes
Condiciones de proceso
Presión de proceso
Temperatura de proceso
1
70 °C
(158 °F)
50 °C
(122 °F)
0 °C
(32 °F)
-40 °C
(-40 °F)
-40 °C -20 °C 0 °C
(-40 °F) (-4 °F) (32 °F)
Abb. 38: Dependencia de la temperatura ambiente de la temperatura de proceso
1 Temperatura ambiente en °C (°F)
2 Temperatura de proceso en °C (°F)
Temperatura de proceso SIP (SIP = Sterilization in place)
Admisión de vapor hasta 1 h
Constante dieléctrica
Visualización
Lámpara de control (anillo luminoso LED)
Ʋ Verde
Ʋ Amarillo
Ʋ Rojo
Condiciones de referencia y variables de influencia
Humedad relativa del aire
Variable de salida - Salida de transistor
Salida
Corriente bajo carga
Caída de tensión
Tensión de activación
Corriente en estado de no conducción
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-40 ... +70 °C (-40 ... +158 °F)
20 ... 85 %
4M8 (5 g) a 4 ... 200 Hz sehgún EN 60068-2-6 (Vibraci-
ón en caso de resonancia)
50 g, 2,3 ms según EN 60068-2-27 (choque mecánico)
IK06 según IEC 62262
-1 ... 25 bar/-100 ... 2500 kPa (-14.5 ... 363 psig)
-20 ... +100 °C (-4 ... +212 °F)
2
20 °C 40 °C 60 °C 80 °C 100 °C
(68 °F) (104 °F) (140 °F) (176 °F) (212 °F)
+135 °C (+275 F)
≥ 2,0
Tensión de alimentación conectada - Salida 1 abierta
Tensión de alimentación conectada - Salida 1 cerrada
tensión de alimentación conectada - fallo
sin restricciones
Transistor (PNP)
max. 250 mA (salida, resistente a cortocircuito perma-
nente)
< 3 V
< 34 V DC
< 10 µA
LFC • Transistor (PNP)