Seiko 8F35 Mode D'emploi page 10

Table des Matières

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Circuit intégré .................................................... Circuit C-MOS à haute intégration, 1 pièce
8
Résistance magnétique .................................... 4.800 A/m (60 gauss)
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Etanchéité ......................................................... Peut résister à la pression de l'eau à une profondeur
* Spécifications sujettes à modifications sans préavis en raison d'améliorations éventuelles.
58
de 200 m. et convient donc pour la plongée scuba.
Imprimé à Hong Kong

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