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6.2.5. MESURES DE RÉSISTANCE D'ISOLEMENT
Conditions de référence particulières :
Capacité en parallèle : < 1 nF.
Tension AC maximale externe admissible pendant la mesure : nulle.
Mesures de tension DC
Domaine de mesure
Résolution
Incertitude intrinsèque
Impédance d'entrée
Résistance d'isolement
Domaine de mesure
Domaine de mesure sous 250 V
Domaine de mesure sous 500 V
Domaine de mesure sous 1000 V
Résolution
Incertitude intrinsèque
Tension à vide
Courant nominal
Courant de court circuit
Courbe typique de la tension d'essai en fonction de la charge
La tension développée en fonction de la résistance mesurée a la forme suivante :
Temps d'établissement typique de la mesure en fonction des éléments testés
Tension d'essai
250 V - 500 V - 1000 V
Temps de décharge typique d'un élément capacitif pour atteindre 25 Vdc
Tension d'essai
Temps de décharge (C en µF)
± (0,0 - 999,9 V)
0,1 V
± (1% L + 2 pt)
0,01 - 1,99 MΩ
0,01 - 0,99 MΩ
0,01 - 0,49 MΩ
10 kΩ
± (5% L + 3 pt)
I = 1 mA
U
N
R
= U
/ 1 mA
N
N
Charge
Non capacitive
10 MΩ
1 s
100 MΩ
1 s
250 V
1 s x C
± (1 000 - 1 200 V)
10 MΩ
0,00 - 99,99 MΩ
2,00 - 99,99 MΩ
1,00 - 99,99 MΩ
0,50 - 99,99 MΩ
10 kΩ
± (3% L + 3 pt)
≤ 1,25 x U
≥ 1 mA
≤ 3 mA
Avec 100 nF
2 s
4 s
500 V
1000 V
2 s x C
4 s x C
36
1 V
± (1% L + 2 pt)
100,0 - 999,9 MΩ
100,0 - 999,9 MΩ
100,0 - 999,9 MΩ
100,0 - 999,9 MΩ
100 kΩ
± (3% L + 3 pt)
N
Avec 1 µF
12 s
30 s
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