SICK deTec4 Prime Notice D'instructions page 100

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CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES
100 N O T I C E D ' I N S T R U C T I O N | deTec4 Prime
Retard à la mise sous tension
État ACTIF, tension de commutation à
l'état HIGH (U ) 2)
eff
État INACTIF, tension de commuta‐
tion à l'état LOW
2) 3)
Capacité en courant des OSSD
Courant de fuite des OSSD
Charge capacitive
Inductance de charge
Caractéristiques des impulsions de test
Largeur des impulsions de test
Fréquence des impulsions de test
Temps de discordance (décalage
entre la commutation d'OSSD2 et
OSSD1)
Entrée de contrôle des contacteurs commandés (EDM)
Tension d'entrée à l'état HIGH (inac‐
tif)
2)
Courant d'entrée à l'état HIGH
Tension d'entrée à l'état LOW (actif)
2)
Courant d'entrée à l'état LOW
Contacteurs raccordés
Délai de retombée autorisé
Temps de collage autorisé
Entrée du bouton-poussoir de réarmement (RES)
Tension d'entrée à l'état HIGH (actif)
2)
Courant d'entrée à l'état HIGH
Tension d'entrée à l'état LOW (inactif)
2)
Courant d'entrée à l'état LOW
Durée de manœuvre du dispositif de
commande
Sortie d'état (ADO)
Tension de sortie à l'état HIGH (actif) U
Tension de sortie à l'état LOW (inac‐
tif)
Courant de sortie à l'état HIGH (actif)
Résistance de câble autorisée
Ligne d'alimentation
6) 7)
Câble entre maître et esclave
Câble entre OSSD et charge
Minimum Typique
3 x temps de
réponse
U – 2,25 V 24 V
V
0 V 0 V
4)
150 µs
3 /s 5
1
11 V 24 V
6 mA 10 mA
–30 V 0 V
–2,5 mA 0 mA
11 V 24 V
6 mA 10 mA
–30 V 0 V
–2,5 mA 0 mA
50 ms
PNP à semi-conducteurs, protégée contre les courts-cir‐
cuits
1)
– 3 V
V
Haute impédance
5)
Maximum
U
V
2,0 V
Pour 500 mA
Pour 2 mA
2,2 µF
2,2 H
300 µs
/s 10 /s
1 1
1 ms
30 V
20 mA
5 V
0,5 mA
300 ms
300 ms
30 V
20 mA
5 V
0,5 mA
100 mA
1 Ω
8)
1 Ω
2,5 Ω
8017727/ZOH2/2017-08-04 | SICK
Sujet à modification sans préavis