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4.8
Essais de diodes et de transistors
La gamme de résistances Ω x 1000 peut servir à des essais de fonction-
nement de diodes et de transistors. Une mesure de résistance (voir chapi-
tre 4.5) permet de déceler aisément un court-circuit ou une coupure d'une
diode ou du circuit diode entre base, collecteur et émetteur d'un transis-
tor. La polarité d'une diode et l'emplacement de la base d'un transistor
peuvent être déterminés aisément par cet essai.
!
Attention!
Le pole positif se trouve à la douille „⊥".
Le pole négatif se trouve à la douille „Ω".
Le composant ne peut être détruit par cet essai, car la tension est de
1,75 V et le courant de 100 µA au maximum.
5
Caractéristiques techniques
Gammes de mesure
Tension
0,15 V
0,50 V
1,50 V
5,00 V
15,00 V
50,00 V
150,00 V
500,00 V
1000,00 V
Résistance d'entrée
16
)
1
Output
—
—
–15 ... + 6 dB
– 5 ... + 16 dB
+ 5 ... + 26 dB
+15 ... + 36 dB
+25 ... + 46 dB
+35 ... + 56 dB
—
Ω
en
: 20,0 k
/V
en
: 4,0 kΩ/V
Résistance interne env.
Ω
3,15 k
Ω
10,00 k
Ω
31,50 k
Ω
100,00 k
Ω
315,00 k
Ω
1,00 M
Ω
3,15 M
Ω
10,00 M
Ω
20,00 M
GOSSEN-METRAWATT GMBH
—
—
Ω
6,50 k
Ω
20,00 k
Ω
65,00 k
Ω
200,00 k
Ω
650,00 k
Ω
2,00 M
—
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