Caractéristiques Techniques De L'émetteur; Caractéristiques Techniques Du Récepteur - SICK deTem4 Core Notice D'instruction

8020454/14Q7/2020-04-27 | SICK
Sujet à modification sans préavis
6) Pour des informations détaillées sur la conception exacte de votre machine, contactez votre succursale
SICK.
7) Direction du mouvement et axe du bâton test perpendiculaire au faisceau.
Caractéristiques techniques de l'émetteur
Tableau 10 : Caractéristiques techniques de l'émetteur
Longueur d'onde de l'émetteur
Angle d'ouverture effectif (EAA)
Consommation électrique
Puissance absorbée
1) Distance entre l'émetteur et le récepteur D ≥ 3 m.
Caractéristiques techniques du récepteur
Tableau 11 : Caractéristiques techniques du récepteur
Consommation électrique
Puissance absorbée
Sorties de sécurité (OSSD)
Type de sortie
Durée de l'état INACTIF
Retard à la mise sous tension
Tension de sortie état ACTIF (HIGH)
Tension de sortie état INACTIF (LOW)
2) 3)
Courant de sortie état ON (HIGH)
Courant de fuite des OSSD
Capacité de charge
Inductivité de charge
Caractéristiques des impulsions de test
Largeur de l'impulsion de test
Fréquence des impulsions de test
Résistance de câble autorisée
Entre l'appareil et la charge
Câble d'alimentation 6)
1) S'applique aux tensions comprises entre -30 V et +30 V.
2) Selon CEI 61131-2.
3) Les valeurs fournies correspondent à la tension de commutation fournie par l'appareil. Si des tensions
supérieures sont appliquées depuis l'extérieur, la valeur maximale de 2,0 V peut être dépassée.
4) Les sorties sont testées de manière cyclique à l'état actif (bref passage à l'état LOW). Lors du choix des
éléments de commande en aval, s'assurer que les impulsions de test n'entraînent pas un arrêt avec les
paramètres fournis ci-dessus.
5) La résistance de ligne des conducteurs vers l'élément de commande en aval ne doit pas dépasser cette
valeur pour identifier clairement un court-circuit transversal entre les sorties. (Par ailleurs, respectez la
norme CEI 60204-1.)
6) Le câble d'alimentation ne doit pas être utilisé pour raccorder d'autres charges, à l'exception de l'émet‐
teur.
CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES
Minimum
Proche infrarouge (NIR), invisible
1)
Minimum
2 PNP à semi-conducteurs, protégées contre les courts-
circuits 1) , avec surveillance des courts-circuits transver‐
saux
100 ms
2) (U – 2,25 V) ... U
V V
0 V ... 2,0 V
4)
3 s
–1
5)
N O T I C E D ' I N S T R U C T I O N | deTem4 Core
Standard Maximum
2,5°
50 mA
1,44 W
Standard Maximum
150 mA
4,32 W
3 fois temps de
réponse
pour 300 mA
2 mA chacune
2,2 µF
2,2 H
150 µs 300 µs
5 s 10 s
–1 -1
2,5 Ω
1 Ω
12
55