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13
Caractéristiques techniques
13.1
Fiche technique
8012811/10OM/2018-08-09 | SICK
Sujet à modification sans préavis
Données système générales
Tableau 17 : Données système générales
Hauteur du champ de protection,
selon le modèle
Résolution (capacité de détection),
selon le modèle
Portée
1) 2)
avec 1 vitre frontale supplémen‐
taire
avec 2 vitres frontales supplémen‐
taires
avec 1 miroir de renvoi
3)
avec 2 miroirs de renvoi
3)
Classe de protection
4)
Indice de protection
Tension d'alimentation U
sur l'appa‐
V
reil
5)
Ondulation résiduelle
6)
Type
Catégorie
Niveau de performance
7)
Niveau d'intégrité de sécurité
Limite d'exigence SIL
7)
PFHd (probabilité moyenne d'une défaillance dangereuse par heure)
Système unique
Systèmes en cascade
T
(durée d'utilisation)
M
État sûr en cas de défaillance
Retard à la mise sous tension après
application de la tension d'alimenta‐
tion
Longueur d'onde
Sorties de commutation (OSSD)
Tension de commutation
10) 11)
(active, U
)
eff
Tension de commutation à l'état LOW
(inactif)
Courant de commutation
Courant de fuite système unique
Courant de fuite système en cas‐
cade
12)
CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES
Minimum
120 mm à 1.200 mm
14, 24 ou 34 mm
0-4,0 m
0-3,7 m
0-3,4 m
0-3,6 m
0-3,2 m
III (CEI 61140)
IP65 (CEI 60529)
19,2 V
Type 4 (CEI 61496-1)
Catégorie 4 (ISO 13849-1)
PL e (ISO 13849-1)
Respecter les caractéristiques optiques !
SIL3 (CEI 61508)
7)
SILCL3 (CEI 62061)
4,3 x 10
–9
13 x 10
–9
20 ans (ISO 13849-1)
Au moins une OSSD est à l'état INACTIF.
PNP à semi-conducteurs, protégée contre les courts-cir‐
cuits
, à surveillance des courts-circuits transversaux
9)
HIGH
U
- 2,2 V
v
0 V
0 mA
12)
N O T I C E D ' I N S T R U C T I O N | miniTwin4
Standard
Maximum
0-5,0 m
0-4,6 m
0-4,2 m
0-4,5 m
0-4,0 m
24 V
28,8 V
± 10 %
8)
3 s
850 nm
24 V
U
v
0 V
2 V
300 mA
0,25 mA
0,5 mA
13
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