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8013483/1IZ4/2024-05-07 | SICK
Sujet à modification sans préavis
Ondulation résiduelle
6)
Type (CEI 61496)
Catégorie (ISO 13849)
Niveau de performance (ISO
13849)
7)
Niveau d'intégrité de la sécurité
(CEI 61508)
7)
Niveau d'intégrité de la sécurité
(CEI 62061)
7)
PFHd (probabilité moyenne d'une défaillance dangereuse par heure)
Système unique
Systèmes en cascade
T
(durée d'utilisation)
M
État sûr en cas de défaillance
Retard à la mise sous tension après
application de la tension d'alimenta‐
tion
Longueur d'onde
Sorties de commutation (OSSD)
Tension de commutation
10)
11)
(active, U
)
eff
Tension de commutation à l'état LOW
(inactif)
Courant de commutation
Courant de fuite système unique
Courant de fuite système en cas‐
cade
12)
Capacité de charge
Séquence de commutation
Inductance de charge
13)
Caractéristiques des impulsions de test
Largeur des impulsions de test
Fréquence des impulsions de test
Résistance de câble autorisée
Consommation électrique
Raccordement multifonction
Tension d'entrée
à l'état HIGH
10)
(inactif)
Courant d'entrée HIGH
Tension d'entrée
à l'état LOW
10)
(actif)
Courant d'entrée LOW
En cas d'utilisation comme entrée EDM
CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES
Minimum
Standard
Type 2
Catégorie 2
PL c
Respecter les caractéristiques optiques !
Niveau d'intégrité de la sécurité 1
Niveau d'intégrité de la sécurité 1
24 x 10
–9
52 x 10
–9
20 ans (ISO 13849-1)
Au moins une OSSD est à l'état INACTIF.
3 s
850 nm
PNP à semi-conducteurs, protégée contre les courts-cir‐
cuits
, à surveillance des courts-circuits transversaux
9)
HIGH
U
- 2,2 V
24 V
v
0 V
0 V
0 mA
12)
En fonction de l'inductance de charge
14)
120 µs
150 µs
3 s
-1
5 s
11 V
24 V
6 mA
15 mA
-3 V
0 V
-2,5 mA
0 mA
N O T I C E D ' I N S T R U C T I O N S | miniTwin2
Maximum
± 10 %
8)
U
v
2 V
300 mA
0,25 mA
0,5 mA
1 µF
2,2 H
300 µs
-1
10 s
-1
1,29 Ω
3 A (maître/
esclave/
esclave)
15)
30 V
30 mA
5 V
0,5 mA
13
89
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