Publicité
Les langues disponibles
Les langues disponibles
DRAM, включая пункты меню, перечисленные ниже, устанавливаются BIOS в
соответствии с данными из SPD. Установка значения в [Lnk] или [Unlnk] позволяет
вручную регулировать тайминги DRAM доступные в этом меню и переходить в
подменю «Advanced DRAM Confguraton» («Расширенная конфигурация DRAM»).
▶
Advanced DRAM Configuraton
Нажмите <Enter> для входа в подменю.
▶
Command Rate
Данная настройка определяет скорость выполнения команд DRAM.
▶
tCL
Позволяет определить время перехода от RAS (строб адреса строки) к CAS (строб
адреса столбца). Чем меньше тактов, тем выше скорость работы памяти DRAM.
▶
tRCD
Позволяет определить время перехода от RAS (строб адреса строки) к CAS (строб
адреса столбца). Чем меньше тактов, тем выше скорость работы памяти DRAM..
▶
tRP
Контролирует число циклов, которое может предзаряжать RAS (строб адреса
строки). Если RAS не дается достаточно времени для накопления перед
обновлением DRAM, данные в DRAM не сохраняются. Этот пункт применим,
когда в системе установлена синхронная память DRAM.
▶
tRAS
Определяет время, требуемое RAS (стробу адреса строки) для считывания из
ячейки памяти или записи в нее.
▶
tRFC
Этот пункт определяет время, которое RFC затрачивает на чтение и запись в
ячейку памяти.
▶
tWR
Определяет
минимальную
операции записи и командой предзаряда. Позволяет усилителям считывания
восстановить данные в ячейках памяти.
▶
tWTR
Определяет минимальную временную задержку между выполнением операции
записи и командой считывания столбца; позволяет системе ввода/вывода
сбросить напряжения на усилителях считывания перед выполнением команды
считывания.
▶
tRRD
Параметр определяет задержку перехода от активного-к-активному состоянию
для разных банков.
▶
tRTP
Временной интервал между командами считывания и предзаряда.
▶
tFAW
Данный параметр используется для настройки синхронизации tFAW (задержка
активации четырех окон).
временную
задержку
между
выполнением
Ru-29
Publicité
