BIOS Setup
Write Recovery Cycle
Vous pouvez regler le cycle de lécriture de la DRAM. Plus basse est la frequence
plus bas sera le temps d'écriture de la DRAM. Les options sont: Auto, 1T, 2T.
Bank Interleave
Ceci permet de choisir entre 2-bank et 4-bank interleave pour la SDRAM installée.
Désactivez cette fonction si la SDRAM est inférieur à 16MB. Les choix sont :
Disabled, 2-Way et 4-Way.
SDRAM Burst Length
Cet élément permet de spécifier la taille de Burst-Length pour la DRAM. La
fonction Bursting est une technique qui permet à ma DRAM de prévoir la
prochaine zone mémoire à utiliser lorsque la première zone est en cours
d'utilisation. Pour utiliser cette fonction, vous devez définir le burst length, qui
est l'actuel length of burst plus l'adresse de départ permettant de générer la
prochaine zone de mémoire. Plus la taille est grande, plus la DRAM est
performante. Les choix sont : 4 QW et 8 QW.
SDRAM 1T Command
Cet élément contrôle la cadence de commande de la SDRAM. Choisir Enabled
pour autoriser le contrôleur de signal SDRAM pour fonctionner à un taux de
1T (T=cycle d'horloge). Choisir Disabled fait fonctionner le contrôleur de sig-
nal à un taux de 2T. 1T est plus rapide que 2T. Les options: Disabled, Enabled.
Fast Command
Cet élément contrôle le timing interne du CPU. Choisir Ultra autorise le CPU à
manipuler de façon rapide les données/instructions. En choisissant Fast cela
permet au CPU de manipuler de façon rapide des données, alors que Normal
permet une manipulation des données plus lente.
Fast R-2-R Turnaround
Burst read operation can be interrupted by new read of any bank.
Random column access is allowed. READ to READ interval is minimum 1 CLK.
En choisissant Enabled cela réduit l'interval "turnaround" permettant
d'accroître les performances. Les options: Disabled, Enabled.
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