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1. Le transistor Mosfet
Il s'agit d'un semi-conducteur à très haut rendement, capable de travailler à très haute
fréquence (plus de 200 Mhz).
Caractéristiques
- Une très grande vitesse de commutation (environ 100 nanosecondes); grâce à une rapidité
de saturation (TURN ON) et de blocage (TURN OFF), qui permet de découper une tension
à très haute fréquence.
- Une très faible résistance interne (inférieure à 10 mV), qui se traduit par une chute de
tension inférieure à 300 mV, dans des conditions nominales d'utilisation, et qui permet
donc un rendement énergétique proche des 100 %
- Une commande il faible courant, qui permet une logique aisée et fiable.
- A l'inverse du transistor classique, le courant diminue au fur et à mesure que la température
augmente, évitant ainsi un emballement thermique et assurant son auto-protection.
- Il peut supporter simultanément une forte tension et un fort courant, s'adaptant précisément
à la commande des moteurs.
Il est apparu que l'utilisation de ce transistor MOSFET, compte tenu de ses caractéristiques,
correspondait au composant idéal pour la gamme des Variateurs Electroniques de Vitesse
Curtis, répondant aux exigences de la Manutention (transpalettes, chariots élévateurs,
tracteurs...) et aux Normes Européennes de Sécurité (86/663/CEE).
Un transistor à effet de champ (à grille) métal-oxyde est un type de transistor à effet de champ ;
on utilise souvent le terme MOSFET, acronyme anglais de Metal Oxide Semiconductor Field
effect Transistor. Comme tous les transistors ou même les tubes à vide, le MOSFET module
le courant qui le traverse à l'aide d'un signal appliqué à son électrode d'entrée ou grille. Il
trouve ses applications dans les circuits intégrés numériques, en particulier avec la
technologie CMOS, ainsi que dans l'électronique de puissance.
Dans le cas du Mosfet, la grille est isolée du canal par une couche de dioxyde de silicium
(SiO
).
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Le transistor MOS possède 4 électrodes :
la Source (Source) S: point de départ des porteurs,
le Drain (Drain) D :point de collecte des porteurs,
la Grille (Gate) G,
le Substrat (Body) B.
G et B sont les électrodes de la capacité MOS qui contrôle le nombre de porteurs présents
dans le canal.
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