Table des Matières
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mycom CLM 121 / 151 - ID
7.4
Maintenance
7.4.1 Conseils de maintenance
relatifs aux cellules de
conductivité
Si les cellules de mesure sont employées en
NEP pour la séparation de milieux , le risque
d'encrassement des électrodes est très faible
étant donné qu'une formation de dépôt n'est
pas possible avec l'alternance acide/base.
7.4.2 Conseils relatifs au
contrôle du matériel
Pour les besoins de la simulation, on crée une
boucle au travers du perçage central du cap-
teur. A cette boucle on raccorde une résis-
tance de simulation, en tant que résistance
simple ou à l'aide d'une décade. La boucle
conductrice doit être courte (max. 400 mm) et
avoir une section importante (2,5 mm
même il faudra éviter les résistances de pas-
sage dues à de mauvaises liaisons électri-
ques. La boucle conductrice ne doit pas être
bougée ni torsadée; elle doit être posée sur
une surface plane
La relation entre conductivité et résistance de
simulation peut être lue dans le tableau ci-
dessous.
Pour les valeurs intermédiaires, la résistance
de simulation se calcule d'après la formule
suivante :
1
R =
⋅ k
Conductivité
Conductivité en S/cm donne R en Ω
Conductivité en mS/cm donne R en kΩ
Conductivité en µS/cm donne R en MΩ
k (constante de cellule) = 6
Affichage/gamme
de mesure
120 µS / cm
240 µS / cm
600 µS / cm
1200 µS / cm
2400 µS / cm
6 mS / cm
12 mS / cm
24 mS / cm
60 mS / cm
120 mS / cm
240 mS / cm
600 mS / cm
1200 mS / cm
2
); de
Résistance de
simulation
50 kΩ
25 kΩ
10 kΩ
5 kΩ
2,5 kΩ
1 kΩ
Ω
500
Ω
250
Ω
100
Ω
50
Ω
25
Ω
10
Ω
5
Remarque :
La valeur affichée ne correspond à
la valeur de simulation que lorsque
• la température est de 25 °C ou la
case V1H0 est sélectionnée pour
l'affichage
• une résistance de précision a été
utilisée pour la simulation, tolé-
rance admissible 0,1%
• les résistances de passage et
points de soudure sont à l'intérieur
des tolérances
7.
Traitement des défauts
BD7LI151.CHP
55
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