MSI RX480 Neo2 Mode D'emploi page 74

MS-7151 ATX Mainboard
MSI weist darauf hin...
Ändern SIe diese Einstellungen nur, wenn Sie mit diesem Chipsatz vertraut
sind.
DRAM Timing
Der Wert in diesem Feld hängt von den Leistungsdaten der eingesetzten Speicherchips
(DRAM) ab. Ändern Sie die Werkseinstellungen nicht, es sei denn, Sie setzen neuen
Speicher ein, dessen Leistungsdaten von denen des ursprünglich installierten DRAMs
abweicht.
CAS Latency (CL)
Kontrolliert die Latenz des Spaltenadresssignals, die die Verzögerung im Timing
(in Taktzyklen) bestimmt, die zwischen der Annahme und Ausführung eines
Lesebefehls durch den RAM liegt. Mögliche Einstellungen: [2.0], [2.5], [3.0]. [2.0]
steigert die Systemleistung am deutlichsten, während [3.0] das höchste Maß an
Stabilität garantiert.
TRAS
Legt die Zeit fest, die das Reihenadresssignal (RAS) braucht, um eine Speicherzelle
auszulesen und in eine Speicherzelle zu schreiben. Mögliche Einstellungen: [5CLK]
(5 Takte) bis [15CLK](15 Takte).
TRP
Legt die Anzahl der Taktzyklen fest, die das Reihenadressierungssignal (Row
Address Strobe - RAS) für eine Vorladung bekommt. W ird dem RAS bis zur
Auffrischung des DRAM nicht genug Zeit zum Aufbau seiner Ladung gegeben,
kann der Refresh unvollständig ausfallen und das DRAM Daten verlieren. Dieser
Menüpunkt ist nur relevant, wenn synchroner DRAM verwendet wird. Mögliche
Einstellungen: [2CLK](2 Takte) bis [6CLK](6 Takte).
TRCD
W ird der DRAM aufgefrischt, werden Reihe und Spalte getrennt angesprochen.
Dies e Eins tellun g erlaubt es , das T im ing des Überganges vom
(Reihenadres sierungs signal - row addres s s trobe) zum CAS (Spalten-
Adressierungssignal - column address strobe) festzulegen . Je weniger Takte,
desto höher ist die Speichergeschwindigkeit. Mögliche Einstellungen: [2CLK](2
Takte) bis [6CLK](6 Takte).
Bank Interleaving
Gestattet die W ahl des 2-Bank oder 4-Bank versetzten Zugriffes auf den installierten
Speicher. Mögliche Einstellungen: [Auto], [Disabled] (ausgeschaltet).
G-18
Advanced Chipset Features
RAS