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CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES
Unité MAPA (mise au point automatique)
Élément
Statif de microscope
compatible
Illuminateur compatible
Accessoire intermédiaire
compatible
Tête d'observation compatible
Tourelle porte-objectifs compatible
Modules d'observation
compatibles
Boîtier de contrôle compatible
Contrôleur
Méthode de détection à MAPA Mise au point automatique par réflexion sur la pupille d 'objectif au moyen d'une diode
Objectifs compatibles
Méthodes d'observation
compatibles
Numéro de champ (FN)
Taux de mise au point automatique
Répétabilité de mise au point
automatique
Plage de traçabilité des
échantillons
Dimensions
Poids
14
U-AFA2M-VIS
U-BI30-2, U-TR30-2, U-ETR-4, U-TLU, U-SWTR-3, U-SWETR, U-SWETTR-5, MX-SWETTR.
U-D6REMC, U-D6BDREMC, U-D5BDREMC, U-P5REMC, U-P5BDREMC, U-D6REM, U-D5BDREM.
Glissière DIC : U-DICR, U-DICRH, U-DICRHC.
Unité d'analyseur à fentes : MX-AFDIC.
BX-UCB (Le boîtier de contrôle U-AFA2M-CB et son logiciel sont requis.)
laser et d'un détecteur à double division.
Projection multipoints.
Longueur d'onde laser : 775 à 800 nm (Classe 1, CEI 60825-1:2007/CEI 60825-1:2014)
Durée de l'impulsion laser : 0,5–2,5 ms.
Fréquence d'impulsion : 100 Hz
Puissance maximale momentanée : 200 μW. (faisceau parallèle)
Sortie de la diode laser interne :
Divergence du faisceau : // = 7 à 13°,
Puissance maximale : 10 mW
Voir page 2 pour prendre connaissance des informations relatives à la compatibilité des objectifs.
Fond clair par lumière incidente.
Fond noir par lumière incidente.
DIC par lumière incidente (au moyen de l'ana-
lyseur U-AN et de l'analyseur à fente MX-
AFDIC). Observation simplifiée par lumière
incidente polarisée (au moyen de l'analyseur
U-AN et de l'analyseur à fente MX-AFDIC).
22 (20 pour l'observation par caméra)
Dans la profondeur focale de l'objectif utilisé.
5X : ±5 000 μm ou plus.
10X : ±2 000 μm.
20X : ±1 100 μm.
50X : ±400 μm.
100X : ±100 μm.
150X : ±50 μm.
La plage de traçabilité dépend de la réflectivité
de l'échantillon et de l'objectif utilisé. Les chif-
fres ci-dessus constituent quelques exemples
d'observation sur fond clair d'un échantillon
sur wafer IC (d'une réflectivité d'environ 45 %)
au moyen d'un objectif LMPlanFI 5X à 100XBD
ou LMPlanApo 150X-BD.
BX61TRF + BX-RLAA
BXFMA
BX-RLAA, BXFMA-F
.
Polariseur : U-PO3, U-POTP3.
Analyseur : U-AN, U-AN360-3.
Ordinateur
= 23 à 33°
Fond clair par lumière incidente.
Fond noir par lumière incidente.
DIC par lumière incidente (au moyen de l'ana-
lyseur U-AN et de l'analyseur à fente MX-
AFDIC). Observation simplifiée par lumière
incidente polarisée (au moyen de l'analyseur
U-AN et de l'analyseur à fente MX-AFDIC).
0,2 s par rapport au point focal.
5X : ±5 000 μm ou plus.
10X : ±2 000 μm.
20X : ±1 100 μm.
50X : ±400 μm.
100X : ±100 μm.
150X : ±50 μm.
DUV : ±50 μm.
La plage de traçabilité dépend de la réflectivité
de l'échantillon et de l'objectif utilisé. Les chif-
fres ci-dessus constituent quelques exemples
d'observation sur fond clair d'un échantillon
sur wafer IC (d'une réflectivité d'environ 45 %)
au moyen d'un objectif LMPlanFI 5X à 100XBD
ou LMPlanApo 150X-BD.
108 (l) x 45 (h) x 313 (p) mm
2,6 kg
U-AFA2M-DUV
U-UVF248-IM
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