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tRtP
將「記憶體時序模式」設為手動 [manual] 時,可調整本欄位。讀取到預充電
間的時間差。
tRFC
將「記憶體時序模式」設為手動 [manual] 時,可調整本欄位。本項指定 RFC
由讀取記憶體到寫入記憶體所需時間。
tWR
將「記憶體時序模式」設為手動 [manual] 時,可調整本欄位。本項指定在有
效寫入結束後到預充電指令開始間的延遲時間(以時脈計)。本延遲時間確保在
寫入緩衝內的資料,可於預充電前被寫入記憶體。
tRRd
將「記憶體時序模式」設為手動 [manual] 時,可調整本欄位。本項設定不同
記憶體間的 active-to-active 延遲時間。
tWtR
將「記憶體時序模式」設為手動 [manual] 時,可調整本欄位。本項設定資料
寫入到讀取指令延遲時間。本項包括在上次有效寫入到下次讀取指令到相同
ddR 裝置內部記憶體間產生的最小時脈數。
FSB/dRam Ratio ( FSB / 記憶體倍頻比率 )
本項可調整 FSB 的倍頻比率到記憶體。
adjusted dRam Frequency (mHz) ( 調整後記憶體頻率 )
本項顯示調整後記憶體的頻率。唯讀。
adjust PCi-e Frequency (mHz) ( 調整 PCi-e 頻率 )
本項設定 PCi-e 頻率。
auto disable dRam/PCi Frequency (自動關閉記憶體/ PCi 頻率 )
設為開啟[enabled],系統會從空出的插槽移除(關閉)時脈,以減少電磁波干擾
(emi)。
dRam Voltage (V), nB Voltage (V), CPu Vtt (V), CPu Voltage (V)
本項設定記憶體 、北橋及 CPu 的電壓。
Spread Spectrum ( 頻譜擴散 )
主機板的時脈產生器開展到最大時,脈衝的極大值突波,會引起電磁波干擾
(emi)。頻譜擴散功能,可藉由調節脈衝以減少 emi 的問題。若無電磁波干擾的
問題,請將本項目設為關閉 [disabled],以達到較佳的系統穩定性及效能。若要
符合 emi 規範,請選擇開啟 [enabled],以減少電磁波。切記,如需進行超頻,
請務必將本功能關閉,因為即使是些微的劇波,均足以引起時脈速度的增快,
進而使超頻中的處理器被鎖定。
注意事項
*
若無電磁波干擾 (emi) 的問題,請設為關閉 [disabled],以達較佳的系統穩定
性及效能。但若要符合 emi 規範,請選擇要減少電磁波的範圍。
頻譜擴散的數值越大,可減少較多電磁波,但相對系統就越不穩定。欲知頻譜
*
擴散適當數值,請查詢當地規範。
*
如需進行超頻,請務必將本功能關閉,因為即使是些微的劇波,均足以引起時
脈速度的增快,進而使超頻中的處理器被鎖定。
MS-7592
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