MSI 880GM-E35 Mode D'emploi page 160

dimm/2 memory SPd information
按下 <enter> 鍵進入子選單。本項顯示已安裝記憶體訊息。
advance dRam Configuration
按下 <enter> 鍵以進入子選單。
dRam timing mode
選擇記憶體的時序是否由記憶體模組上的 SPd eePRom 裝置來控制與否。設
為 [auto]，由 BioS 依 SPd 上的組態，來設定記憶體時序子選單。設為 [man-
ual]，則改以手動方式調整子選單。
CaS Latency (CL)
將 dRam timing mode 設為 [manual] 時，可調整本欄位。本項控制行位址信
號 (CaS) 延遲，也就是於 SdRam 接收讀取指令後，開始進行讀取前的延遲時
間 (以時脈計)。
tRCd
將 dRam timing mode 設為 [manual] 時，可調整本欄位。在dRam更新時，列
和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (RaS) 到行位址 (CaS) 之間的過渡時
間。時脈數越少，記憶體的效能越好。
tRP
本項控制列位址(RaS)預充電的時脈。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體更
新之前預充電，更新可能會不完全，且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系
統安裝同步動態隨機存取記憶體時。
tRaS
將 dRam timing mode 設為 [manual] 時，可調整本欄位。本項指定 RaS 由讀
取到寫入記憶體所需時間
tRtP
將 dRam timing mode 設為 [manual] 時，可調整本欄位。讀取到預充電間的
時間差。
tRFC
將 dRam timing mode 設為 [manual] 時，可調整本欄位。本項指定 RFC 由讀
取記憶體到寫入記憶體所需時間。
tWR
將 dRam timing mode 設為 [manual] 時，可調整本欄位。本項指定在有效寫
入結束後到預充電指令開始間的延遲時間(以時脈計)。本延遲時間確保在寫入緩
衝內的資料，可於預充電前被寫入記憶體。
tRRd
將 dRam timing mode 設為 [manual] 時，可調整本欄位。本項設定不同記憶
體間的 active-to-active 延遲時間。
tWtR
將 dRam timing mode 設為 [manual] 時，可調整本欄位。本項設定資料寫入到
讀取指令延遲時間。本項包括在上次有效寫入到下次讀取指令到相同 ddR 裝置
內部記憶體間產生的最小時脈數。
FSB/dRam Ratio
本項可調整 FSB 的倍頻比率到記憶體。
MS-7641
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