Atlas DCA Pro - Manuel de l'utilisateur
Annexe B - Résumé des caractéristiques techniques
Toutes les valeurs sont à 25°C sauf indication contraire. Sous réserve de modifications.
Paramètre
Transistors bipolaires
Gain de courant mesurable (h
h
précision (h
FE
FE
h
tension de test (V
FE
h
courant test du collecteur
FE
Courant de base pour mesure V
V
précision
BE
V
résolution
BE
V
pour identification Darlington
BE
V
pour Darlington (types dérivés)
BE
V
seuil pour germanium
BE
V
recevable
BE
Seuil de dérivation base-émetteur
Fuite tolérable du collecteur
Précision du courant de fuite
MOSFET/IGBT
Plage enrichissement V
Plage appauvrissement V
V
précision
GS(ON)
Courant de drain à V
Tension drain-source à V
Résistance tolérable de la grille-source
Seuil de saturation du collecteur IGBT
JFET
Plage pincement V
Pincement du courant drain-source
Plage activation V
Activer le test de courant drain-source
V
précision
GS
Plage transconductance (g
g
portée du test courant drain
fs
g
précision (<20mA/V)
fs
g
précision (>20mA/V)
fs
)
FE
<2000)
)
CEO
BE
GS(ON)
GS(ON)
GS(ON)
GS(ON)
GS(OFF)
GS(ON)
)
fs
Min
Typ
4
±3% ±5 h
3,0V
4,75mA
5,00mA
4,75mA
5,00mA
±1% ±0,006V
3,0mV
0,95V
1,00V
0,75V
0,80V
0,55V
50kΩ
60kΩ
±2% ±0,02mA
0,0V
-5,0V
±2% ±0,01V
4,75mA
5,00mA
3,5V
8kΩ
0,40V
-10,0V
2,5µA
5,0µA
-9,0V
4,75mA
5,00mA
±2% ±0,01V
3,0mA to 5,0mA
±5% ±2mA/V
±10% ±5mA/V
Page 39
Décembre 2015 – Rev 1.4
Max
32000
FE
9,0V
5,25mA
5,25mA
6,0mV
1,80V
1,80V
1,80V
70kΩ
1,5mA
10,0V
0,0V
5,25mA
9,0V
2,5V
10,0µA
2,5V
5,25mA
99mA/V
Rem.
2
2,8
2
8
3
4
6
5
5
5
5
9