Table des Matières
Publicité
Atlas DCA Pro - Manuel de l'utilisateur
Transistors MOSFET à enrichissement
MOSFET signifie : « Transistor à Effet de Champ à Oxydes-
Métalliques ». Tout comme les transistors bipolaires ceux-ci
sont disponibles sous deux formes: ceux à Canal N et ceux à
Canal P. La majorité des MOSFET modernes sont du type à
enrichissement, ce qui signifie que la polarisation en tension du couple grille-
source est toujours positive pour les types à Canal N. L'autre type de MOSFET
est du type à appauvrissement (plus rare) -Voir p.22.
Les MOSFET de tous types sont parfois appelés IGFETs, ce qui signifie
"Transistor à Effet de Champ à Grille Isolée". La caractéristique essentielle de
ce type de transistor est le fait que leur grille soit isolée. Ceci entraîne un
courant de gâchette négligeable quelle que soit la polarisation en tension du
couple grille-source (jusqu'aux valeurs maximales autorisées -généralement
±20V). Les IGFETs ne doivent pas être confondus avec les IGBT (Transistors
Bipolaires à Grille Isolée). Voir p.23.
Le premier écran qui s'affiche donne
des informations sur le type de
transistor MOSFET détecté ainsi que
son brochage.
En appuyant sur la touche défilement, la
tension de seuil de la grille du MOSFET
s'affichera.
La tension de seuil de la grille est la tension existante entre grille et source.
Cette tension atteinte détermine le début de la conduction entre source et drain,
et ce, lorsque le courant atteint la valeur de 5mA, ce qui est confirmé par
l'affichage.
Un MOSFET à enrichissement aura toujours une tension de seuil de grille
supérieure à 0V (c'est-à-dire qu'elle sera toujours positive par rapport à la
source pour les transistors à Canal N).
L'analyseur DCA Pro est en mesure d'appliquer sur la grille une tension
comprise entre 0 et 10V dans le cas des MOSFET à enrichissement.
N-Ch Enhancement
mode MOSFET
Red-G Green-S Blue-D
Gate threshold
V GS ( on )=3.625V
at I D =5.00mA
Page 21
Décembre 2015 – Rev 1.4
Publicité
Table des Matières
